Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: IRS2007S – новый 200V полумостовой драйвер MOSFET от Infineon

IRS2007S – новый 200V полумостовой драйвер MOSFET от Infineon



Компания Infineon представила новый 200 В драйвер управления затвором транзисторов IRS2007S, предназначенный для работы с MOSFET-транзисторами в конфигурации полумост в системах управления двигателем с низкими (24 В, 36 В и 48 В) и средними (60 В, 80 В и 100 В) напряжениями.

Драйверы обладают фирменной технологией защиты от скачков напряжения, а их входы совместимы со стандартом CMOS или TTL. Выходы драйверов имеют буферный каскад для минимизации перекрестной проводимости драйвера. "Плавающий" канал драйвера может использоваться для управления N-канальным MOSFET или IGBT-транзистором.

Драйверы IRS2007S доступны в стандартных 8-контактных корпусах типа SOIC.

Ключевые характеристики

  • выходной ток (нарастание/спад): 290 мА/600 мА;
  • напряжение затвора: 10…20 В на канал;
  • защита при пониженном напряжении для VCC и VBS;
  • 3, 5, 15 В-совместимые входы;
  • синхронная задержка сигнала в обоих каналах;
  • нечувствительность к отрицательному напряжению смещения;
  • защита от сквозной проводимости;
  • фиксированное время dead-time: 520 нс;
  • защита от ЭСР: 2 кВ, согласно HBM;

 

Схема подключения драйверов IRS2007S

Схема подключения драйверов IRS2007S

 

Пример использования драйвера в управлении двигателем электро-велосипеда

Пример использования драйвера в управлении двигателем электро-велосипеда

 

Области применения

  • сервоприводы;
  • квадрокоптеры;
  • легкие электромобили (электро-велосипеды, электро-скутеры);
  • беспроводная зарядка;
  • другие приложения с батарейным питанием.
     

Источник: www.compel.ru

Дата публикации: 21.03.2019
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics