Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Микросхемы последовательной  EEPROM-памяти ST демонстрируют увеличение скорости обмена

Микросхемы последовательной EEPROM-памяти ST демонстрируют увеличение скорости обмена



Компания STMicroelectronics представила 1МГц двухпроводные последовательные микросхемы EEPROM-памяти с емкостью 256Kбит, 512Kбит и 1Mбит, совместимые с режимом Fast-Mode-Plus шины I2C, который обеспечивает обмен данными в 2,5 раза быстрее, по сравнению с режимом  шины Fast-Mode.

Работая на частоте 1МГц, M24M01-HR способна осуществить передачу 1Мбит данных за 1сек, M24256-BHR – 256Кбит за 0,25сек и M24512-HR - 512Кбит за 0,5сек. Двухпроводные последовательные EEPROM-микросхемы поддерживают множество режимов доступа, включая режим записи байта, а так же режимы записи страницы размером 64, 128 и 256байт, режимы последовательного и произвольного считывания, автоматический инкремент адреса. Кроме упрощения процесса проектирования, эти режимы помогают инженерам оптимизировать производительность системы и потребление энергии. В микросхемах имеется вход управления записью, а три вывода выбора микросхемы позволяют подключить до восьми микросхем памяти к одной шине. Так же, для упрощения проектирования низковольтных или стандартных систем, все три микросхемы, 256, 512 и 1Мбит, имеют исполнения, работающие от напряжения питания 1,8…5,5 или 2,5…5,5В.

Передовой технологический процесс производства компании ST обеспечил получение преимуществ быстрой работы с частотой 1МГц при конкурентной цене и выбор трех миниатюрных корпусов для поверхностного монтажа, включая TSSOP8 и 3,8мм шириной SO-8. Высота корпусов составляет 1,2 и 1,75мм.

 

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 17.07.2008
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics