на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Электронные компоненты Microchip на основе технологии карбид кремния

Новости электроники
1 год назад

Расширение ассортимента электронных компонентов Microchip на основе технологии карбид кремния


Растет спрос на продукты силовой электроники SiC (карбид кремния), которые повышают эффективность, надежность и удельную мощность в автомобильной, промышленной и аэрокосмической отраслях. Нацелившись на удовлетворение данного спроса, компания Microchip, совместно с дочерней компанией Microsemi , активно расширяет ассортимент производства силовых устройств на основе технологии SiC. 

В настоящее время Microchip предлагает широкий ассортимент SiC-кристаллов, дискретных модулей и модулей питания для различных диапазонов напряжений, токов и типов корпусов. Транзисторы SiC MOSFET на 700 В и SiC-барьерные диоды Шоттки на 700 В и 1200 В дополняют существующий ассортимент силовых модулей SiC. Более 35 отдельных продуктов, которые Microchip добавил в свой портфель. 

Microchip является одним из немногих поставщиков, предлагающих широкий спектр как дискретных, так и модульных решений на основе SiC. Продукция компании идеально подходит для растущего числа электромобилей, включая внешние зарядные станции, бортовые зарядные устройства, преобразователи тока и решения для трансмиссии и контроля тяги. 

Основные особенности продуктов SiC: 

  • Чрезвычайно низкие потери при коммутации.
  • Высокая мощность.
  • Лучшая теплопроводность.
  • Высокотемпературный режим работы.

Источник: www.eltech.spb.ru


Другие новости ...