с напряжением 150В для работы в DC/DC изолированных преобразователях, используемых в системах с универсальным для систем телекоммуникации интервалом питающих напряжений от 36 до 75В, а также для устройств с фиксированным напряжением 48В.
За счет применения современного монтажа DirectFET, в сочетании с технологией следующего поколения мощных кремниевых HEXFET MOSFET, новые приборы обеспечивают токи до 35А при лучшем КПД и меньшем нагреве, даже в корпусах, аналогичным по размерам SO-8. Дальнейшие усовершенствования привели к дополнительному улучшению таких критических параметров транзисторов, как последовательное сопротивление, заряд затвора и промежутка затвор-сток, что и определило увеличение плотности тока одиночного MOSFET.
В силу сокращения площади структуры на 50% одиночный DirectFET MOSFET теперь может заменить два-три старых прибора в корпусах SO-8. Крайне низкое (29мОм при 10В) значение прямого сопротивления, а также малая индуктивность транзисторов делают их крайне привлекательными для использования в сильноточных синхронных выпрямителях. Низкие значения зарядов затвора (39нКл) и промежутка затвор-сток
11нКл у IRF6643TRPbF позволяют ему хорошо работать по первичной стороне преобразователей с изолированной или промежуточной DC шиной. IRF6643TRPbF монтируется в средний по размеру (MZ) корпус DirectFET.
Источник: terraelectronica.ru