Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: 500 В MOSFET-транзисторы IRFB812, IRFR812 и IRFR825 со значительно сниженным зарядом затвора

500 В MOSFET-транзисторы IRFB812, IRFR812 и IRFR825 со значительно сниженным зарядом затвора



 IRFB812PbF, IRFR812PbF и IRFR825PbF – новые 500-вольтовые MOSFET-транзисторы компании International Rectifier доступны в стандартных корпусах TO-220 и D-PAK. При создании новых транзисторов особое внимание было уделено снижению заряда затвора (Qg), что в совокупности с остальными характеристиками наделяет их неоспоримым преимуществом при применении в импульсных источниках питания, системах управления электроприводом и других системах, требующих большой частоты работы силового преобразователя.

D-PAKВ отличие от большинства других MOSFET из линейки IR, которые в данное время производятся по планарной или Trench технологиям, новые транзисторы выполнены по технологии FredFET и поэтому содержат быстровосстанавливающийся внутренний паразитный диод. Одним из преимуществ MOSFET с более быстрым временем обратного восстановления внутреннего паразитного диода является большая устойчивость при работе в преобразователях с переключением при нулевом напряжении.

Источник: www.terraelectronica.ru

Дата публикации: 14.12.2012
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics