Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Силовые N-канальные MOSFET SIHG20N50C для ШИМ-преобразователей

Силовые N-канальные MOSFET SIHG20N50C для ШИМ-преобразователей



SIHG20N50C-E3 и SIHG16N50C-E3 - новые мощные N-канальные MOSFET транзисторы в классическом силовом корпусе ТО-247 компании Vishay рассчитаны на 500 В и ток до 20 и 16 А, соответственно.

Транзисторы обладают способностью выдерживать пиковые импульсные токи амплитудой до 72 А. Низкий уровень заряда затвора делает эти транзисторы отличным решением для построения активных ККМ и ШИМ-преобразователей.

Области применения: источники вторичного электропитания, электроприводы и сварочные аппараты.

Источник: www.terraelectronica.ru

 

Дата публикации: 22.06.2012
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics