Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: MOSFET-транзисторы STP6N62K3 и STP3N62K3 по технологии SuperMESH3 от STMicroelectronics

MOSFET-транзисторы STP6N62K3 и STP3N62K3 по технологии SuperMESH3 от STMicroelectronics



Новая технология SuperMESH3 производства MOSFET-транзисторов STP6N62K3 и STP3N62K3 обеспечивает более низкое сопротивление открытого канала, что позволяет сократить потери мощности в импульсных преобразователях. Эту технологию отличает также высокая устойчивость к скорости нарастания напряжения (dU/dt) и большой запас по напряжению пробоя.

Новые транзисторы найдут применение в полумостовых коммутаторах электронных балластов ламп, а также в коммутаторах импульсных источников питания. Их применение позволяет существенно улучшить надежность и безопасность преобразовательной техники – светотехнических устройств и импульсных источников питания.


Основные характеристики STP6N62K3:

  • рабочее напряжение до 620В;
  • рабочий ток до 5,5А;
  • сопротивление канала: 1,28Ом;
  • рассеиваемая мощность до 90Вт;
  • корпус TO-220.

Основные характеристики STP3N62K3:

  • рабочее напряжение до 620В;
  • рабочий ток до 2,7А;
  • сопротивление канала: 2,5Ом;
  • рассеиваемая мощность до 90Вт;
  • корпус TO-220.

Внутренняя структура транзисторов STPxN62K3 показана на рисунке ниже.

Области применения: импульсные источники питания: квазирезонансные, прямоходовые, обратноходовые; энергосберегающие лампы; корректоры коэффициента мощности; источники бесперебойного питания.

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 24.04.2009
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics