Первым устройством в новом семействе Super-Junction FDmesh II является STW55NM60ND - N-канальный MOSFET на напряжение 600В в стандартном корпусе TO-247, претендующий на лучшее в отрасли значение сопротивления в прямом направлении (60мОм) для MOSFET с быстрым восстановлением. Пиковый ток стока величиной 51A позволяет одному MOSFET заменить множество компонент в преобразователях, имеющих жесткие ограничения по габаритам, типа систем связи и серверов.

Все это, в сочетании с преимуществами в решении тепловых проблем за счет снижения потерь, позволяет существенно поднять плотность мощности.  Для улучшения характеристик ST модифицировал архитектуру своего FDmesh super-junction путем объединения вертикальной конструкции MOSFET с типовой полосковой структурой, имеющей, к тому же, более устойчивый к внешним воздействиям и наибольшее быстродействие встроенный диод. Благодаря минимизации емкости, заряда и входного сопротивления затвора кроме уменьшения величин прямого сопротивления и времени восстановления повысилась частота переключения транзистора и снизилась мощность возбуждения.

Для обеспечения большей надежности в момент переключения приборы получили более высокое быстродействие в условиях низкой нагрузки, особенно в мостовых топологиях с переключением при нулевом напряжении (ZVS). Будущие приборы с такой топологией будут иметь дополнительные варианты корпусов и значений тока в сочетании с наилучшими значениями прямого сопротивления, обеспечивающими  минимальное время восстановления MOSFET для каждого вида корпуса. 

В ближайшее время появится STP30NM60ND в корпусе TO-220, рассчитанный на ток стока 25A при значении прямого сопротивления 130мОм, а также STD11NM60ND в корпусе DPAK для поверхностного монтажа для токов до 10A при значении прямого сопротивления 45мОм.

ST планирует введение дополнительных приборов в серию FDmesh II, с целью повышения интервала рабочих напряжений и токов для приборов в стандартных промышленных корпусах.

Источник: terraelectronica.ru