на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

MOSFET с логическим уровнем 120 В в корпусе SuperSO8

Новости электроники
1 месяц назад

Новые MOSFET с логическим уровнем 120 В в корпусе SuperSO8


Компания Infineon дополнила семейство транзисторов OptiMOS тремя новыми компонентами в компактном корпусе SuperSO8, работающими с логическим уровнем 120 В. Новые MOSFET имеют низкий заряд затвора, что снижает коммутационные потери и позволяет работать на высоких частотах переключения. Низкое напряжение затвора транзисторов позволяет управлять ими напрямую с микроконтроллера без использования дополнительных микросхем. Новые MOSFET прекрасно подходят для применения в зарядных устройствах, адаптерах питания и телекоммуникационном оборудовании.

 

Особенности:

  • Низкое сопротивление "сток-исток" открытого канала (RDS(on));
  • Компактный корпус SuperSO8 (PG-TDSON-8);
  • Логический уровень 120 В;
  • Низкий заряд затвора, низкие коммутационные потери;
  • Низкое напряжение затвора, возможность работы напрямую от микроконтроллера.

 

Области применения:

  • Зарядные устройства;
  • Адаптеры питания;
  • Телекоммуникационное оборудование.

 

Примеры использования MOSFET OptiMOS 3

Примеры использования MOSFET OptiMOS 3

 

Наименование

Id @ 100°С

RDS(on),max@ 25°C

Корпус

BSC080N12LSGATMA1

77 А

8 мОм

PG-TDSON-8

BSC120N12LSGATMA1

53 А

12 мОм

PG-TDSON-8

 

Источник: www.compel.ru


Другие новости ...