Ближайшие выставки:
Семинар «Методология проектирования импульсных источников питания на основе микросхем Power Integrations. Новая версия программы PI Expert»
(03.12.08 - 03.12.08)
16 международная специализированная выставка ЭНЕРГЕТИКА И ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
(19.05.09 - 22.05.09)
Новости электроники
Главная 
Новости Новости электроники
MOSFET от IR с малым сопротивлением получают корпус с усиленной теплоотдачей
Компания International Rectifier расширяет свой ряд MOSFET с напряжением 60, 75 и 100В для импульсных и бесперебойных источников питания, а также для промышленных применений. Эти новые приборы, расширяющие существующий ряд N-канальных транзисторов, имеют малое сопротивление во включенном состоянии, и установлены в корпус TO-247, обеспечивающий лучший отвод тепла по сравнению с корпусом TO-220. Сочетание новейшей технологии HEXFET MOSFET с использованием утопленных затворов и корпуса с улучшенным теплоотводом дает разработчикам больше возможностей для реализации приложений с жесткими требованиями по мощности и тепловыделению.
В новом ряду следующие модели: IRFP3206PbF с напряжением 60В и величиной сопротивления во включенном состоянии 3мОм при напряжении затвор-исток 10В; IRFP3306PbF - напряжение 60В и сопротивление 4,2мОм; IRFP3077PbF - напряжение 75В и сопротивление 3,3 мОм, а также 100-вольтовые модели IRFP4110PbF, IRFP4310ZPbF и IRFP4410ZPbF с сопротивлением 4;5; 6,0 и 9,0мОм, соответственно.
Источник: terraelectronica.ru
Предыдущая Все за текущий день
Следующая
