Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Новое поколение высоковольтных MOSFET транзисторов VISHAY

Новое поколение высоковольтных MOSFET транзисторов VISHAY



Компания Vishay запустила в производство новое поколение мощных 400, 500 и 600 В N-канальных MOSFET транзисторов. Эти транзисторы имеют сопротивление открытого канала от 0,13 Ом, диапазон рабочих токов от 3 до 36 А и отличный показатель добротности, который показывает степень возможности управления транзистором малым зарядом на затворе при минимальном выходном сопротивлении открытого канала. В целом, уровень заряда на затворе был снижен на 50% по сравнению с предыдущими поколениями силовых транзисторов этого типа.

 

Области применения: мощные импульсные схемы, серверы, питающее оборудование устройств телекоммуникации, сварочное оборудование, оборудование плазменной резки, зарядные устройства, балласты в освещении, разрядные лампы, индукционные печи.

Источник: www.terraelectronica.ru

Дата публикации: 23.07.2012
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics