Стандартная SPI-шина микросхемы SRAM-памяти содержит сигнал выбора кристалла CS, тактовый сигнал SCK и два сигнала SI и SO для последовательной передачи данных и адреса. Имеется возможность электрического объединения сигналов SI и SO для сокращения количества линий шины в случае подключения микросхемы к I/O-выводам общего назначения микроконтроллера без выделенного SPI-канала. Подача низкого уровня сигнала HOLD приостанавливает текущие операции записи/чтения, но без смены выбранного до этого режима работы. Тем самым игнорируются любые изменения входных сигналов, кроме сигнала HOLD.

Отличительные особенности:

• диапазон напряжения питания: 2,7В…3,6В;
• предельно низкий ток потребления в режиме отключения: 1мкА;
• максимальный ток потребления в режимах чтения/записи:
  - 10мА на частоте 20МГц,
  - 6мА на частоте 10МГц,
  - 3мА 1МГц;
• 4-х или 3-проводная SPI-шина;
• различные режимы работы чтения и записи:
  - словами по 8 бит,
  - страничный режим (32 слова на страницу),
  - пакетный режим (все содержимое памяти);
• организация памяти: 32Кx8 бит;
• полностью автоматическое выполнение циклов записи;
• аппаратная защита от случайной записи;
• сигнал HOLD для приостановки операций с сохранением режима;
• высокая надежность и неограниченное количество циклов записи;
• температурный диапазон: −40°C…+85°C;
• корпуса: SOIC-8 (N256S0830HDAS2-20I) и TSSOP-8 (N256S0830HDAT2-20I).

Функциональная схема N256S0830. 

Области применения: измерительные системы высокого быстродействия с повышенными требованиями к экономичности, портативные измерительные приборы, автономные системы сбора и обработки данных, охранные системы, наращивание оперативной памяти для контроллеров с малым количеством выводов.

Источник: terraelectronica.ru