Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Последовательная SRAM-память N256S0830 большого объема

Последовательная SRAM-память N256S0830 большого объема



N256S0830 – уникальная микросхема SRAM-памяти с произвольным доступом и объемом 256Кбит от AMIS. Вся область памяти имеет организацию 32Кx8 бит страницами по 32 слова. Интерфейсом подключения является скоростная 4-х или 3-проводная SPI-шина. Благодаря передовой CMOS-технологии производства, микросхема сочетает высокую скорость работы (до 25МГц), очень низкое потребление как в активном режиме (12мА), так и в режиме отключения (1мА), и ничем не ограниченное количество циклов записи. При этом стоимость самой микросхемы и решений на ее основе значительно ниже конкурирующей энергонезависимой FRAM-памяти такого же объема.

Стандартная SPI-шина микросхемы SRAM-памяти содержит сигнал выбора кристалла CS, тактовый сигнал SCK и два сигнала SI и SO для последовательной передачи данных и адреса. Имеется возможность электрического объединения сигналов SI и SO для сокращения количества линий шины в случае подключения микросхемы к I/O-выводам общего назначения микроконтроллера без выделенного SPI-канала. Подача низкого уровня сигнала HOLD приостанавливает текущие операции записи/чтения, но без смены выбранного до этого режима работы. Тем самым игнорируются любые изменения входных сигналов, кроме сигнала HOLD.

Отличительные особенности:

  • диапазон напряжения питания: 2,7В…3,6В;
  • предельно низкий ток потребления в режиме отключения: 1мкА;
  • максимальный ток потребления в режимах чтения/записи:
    - 10мА на частоте 20МГц,
    - 6мА на частоте 10МГц,
    - 3мА 1МГц;
  • 4-х или 3-проводная SPI-шина;
  • различные режимы работы чтения и записи:
    - словами по 8 бит,
    - страничный режим (32 слова на страницу),
    - пакетный режим (все содержимое памяти);
  • организация памяти: 32Кx8 бит;
  • полностью автоматическое выполнение циклов записи;
  • аппаратная защита от случайной записи;
  • сигнал HOLD для приостановки операций с сохранением режима;
  • высокая надежность и неограниченное количество циклов записи;
  • температурный диапазон: −40°C…+85°C;
  • корпуса: SOIC-8 (N256S0830HDAS2-20I) и TSSOP-8 (N256S0830HDAT2-20I).

Функциональная схема N256S0830. 

Функциональная схема N256S0830

Области применения: измерительные системы высокого быстродействия с повышенными требованиями к экономичности, портативные измерительные приборы, автономные системы сбора и обработки данных, охранные системы, наращивание оперативной памяти для контроллеров с малым количеством выводов.

Автор: Панов Артур

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 16.11.2007
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics