Обе микросхемы прошли тесты стандарта IEEE 802.3af, а так же были проверены Лабораторией Совместимости Университета Нью Гемпшира (UNH-IOL) на соответствие новейшему проекту стандарта IEEE 802.3at (D3.1), который включает тест определения двух событий физического уровня. Проверка UNH подтверждает, что для рынка эти микросхемы могут служить PoE+ совместимой платформой, и подтверждает соответствие их возрастающим требованиям к величине мощности точек доступа WLAN, WIMAX, а так же рынков промышленных и IP камер.
Коллекция интегральных PoE-PD устройств компании ON Semiconductor состоит из 4 микросхем. NCP1081 и NCP1083 обеспечивают уровень мощности до 25.5Вт для приложений, отвечающих проекту стандарта IEEE 802.3at (D3.1) и до 40Вт для нестандартных мощных PoE приложений. NCP1080 и NCP1082 обеспечивают уровень мощности, соответствующий IEEE802.3af. Кроме того,NCP1082 и NCP1083 имеют функцию параллельного получения питания от вспомогательного источника питания.
NCP1080/1/2/3 совместимы по выводам и выпускаются в 20-тивыводном TSSOP-EP корпусе. Эта особенность дает возможность пользователям подбирать и комбинировать различные функции PoE для получения различных платформ. Коллекция PoE-PD устройств создана на основе высоковольтной, допущенной к использованию в автомобилях, технологии SmartPower компании ON Semiconductor, используемой для обеспечения прекрасной устойчивости к электрическим разрядам в кабелях и лучшего уровня защиты от помех по сравнению с другими интегрированными контроллерами PoE-PD/DC/DC преобразователей. Низкое сопротивление открытого состояния и температурный диапазон от -40°C до 85°C с полным сохранением работоспособности при температуре кристалла 150°С, позволяет этим PoE-PD контроллерам обеспечить высокий уровень мощности при работе в тяжелых условиях.
Источник: terraelectronica.ru