Ближайшие выставки:
Семинар «Методология проектирования импульсных источников питания на основе микросхем Power Integrations. Новая версия программы PI Expert»
(03.12.08 - 03.12.08)
16 международная специализированная выставка ЭНЕРГЕТИКА И ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
(19.05.09 - 22.05.09)
Новости электроники
Главная 
Новости Новости электроники
Полевой транзистор BSP110 от NXP совместим с логическими уровнями
BSP110 – уникальный полевой N-канальный транзистор, производимый по технологии TrenchMOS.
Отличительные особенности:
- технология TrenchMOS;
- максимальное напряжение сток-исток: 100В;
- максимальное напряжение затвор-исток: ±20В;
- максимальный ток стока: 520мА;
- пиковый ток стока: 2А;
- максимальная рассеиваемая мощность: 6,25Вт;
- сопротивление открытого канала не более 10Ом (5В, 150мА);
- высокая скорость переключения;
- совместимость с логическими уровнями;
- температура перехода до 150°C;
- корпус SOT-223.
Области применения: управление реле, драйверы скоростных линий, трансляторы логических уровней.
Источник: terraelectronica.ru
Дата публикации: 23.07.2007
Предыдущая Все за текущий день
Следующая
