Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: PWD13F60 – 600V 8А полный MOSFET-мост с драйвером в корпусе 10х13 мм

PWD13F60 – 600V 8А полный MOSFET-мост с драйвером в корпусе 10х13 мм



Компания STMicroelectronics представила новое решение в линейке высоко интегрированных драйверов, называемых SiP - System in Package. PWD13F60 представляет собой четыре высоковольтных MOSFET (600 В, 320 мОм, 8 А) с драйверами управления. Транзисторы образуют два полумоста с общей точкой, что позволяет использовать их как отдельно, так и в составе полного моста.  Встроенные драйверы оснащены bootstrap диодами, таким образом, для управления транзисторами верхнего плеча не требуются внешние компоненты.

Для обеспечения безопасной работы в PWD13F60 предусмотрена зашита от пониженного питающего напряжения, а также защита от сквозного включения транзисторов полумоста. Широкий диапазон напряжения управления делает возможным работу драйвера с сигналами от микроконтроллера, цифрового сигнального процессора (DSP) или датчиков с эффектом Холла.

Внутренняя структура PWD13F60

Внутренняя структура PWD13F60

 

PWD13F60 доступен в компактном корпусе VFQFPN (10x13x1.0 мм). В сравнении с подобным решением на дискретных компонентах, как видно из рисунка ниже, экономия места на плате достигает 60%. На отладочной плате EVALPWD13F60 размерами 48×53 мм, выполненной из стеклотекстолита FR-4, для модуля PWD13F60 получено тепловое сопротивление Rth(J-A)=18°C/Вт, что позволяет отдавать в нагрузку ток до 2 А (действующее значение) без применения принудительного воздушного охлаждения.

Сравнение PWD13F60 и схожего решения на дискретных компонентах

Сравнение PWD13F60 и схожего решения на дискретных компонентах

 

Основные преимущества PWD13F60

  • интегрированное решение – драйверы + 600 В MOSFET’ы с RDS(ON)=320 мОм в корпусе VFQFPN (10x13x1.0 мм);
  • схема включения – полный мост или два независимых полумоста;
  • широкий диапазон питания встроенных драйверов от 6,5 до 19 В;
  • защита от пониженного напряжения питания;
  • диапазон напряжения управления от 3,3 В до 15 В с гистерезисом, встроенные pull-down резисторы;
  • защита от одновременного включения MOSFET верхнего и нижнего плеча;
  • встроенные bootstrap диоды.

 

Целевые применения

  • DC/DC и AC/DC источники питания;
  • привод двигателей;
  • HID балласты для ламп.

Источник: www.compel.ru

Дата публикации: 20.04.2018
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics