Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Компания Renesas выпустила драйвер Mosfet-транзисторов R2J20651NP

Компания Renesas выпустила драйвер Mosfet-транзисторов R2J20651NP



Интегральный драйвер Mosfet-транзисторов R2J20651NP компании Renesas Technology создан с целью использования в источниках питания для SDRAM-памяти CPU DDR-типов, используемой в ПК и серверах.

Драйвер обеспечивает эффективность работы 96,5% при Vin = 5В, Vout = 1,8В. Микросхема выпускается в 40-выводном 6x6мм QFN-корпусе. R2J20651NP соответствует требованиям к интегральным драйверам Mosfet-транзисторов (DrMOS), редакция 3.0 компании Intel Corporation.  Микросхема объединяет два Mosfet-транзистора нижнего/верхнего плеча и цепи драйвера в общем корпусе. Микросхема обеспечивает высокую эффективность работы источника питания благодаря использованию мощных Mosfet-транзисторов десятого поколения компании Renesas.

Использование микросхемы может привести к сокращению размеров целевого оборудования, так как снижение выделения тепла позволяет использовать теплоотводы с меньшими габаритами. Одновременно, использование микросхемы позволяет уменьшить число необходимых конденсаторов и других пассивных компонентов. Для драйвера используется корпус с низким температурным сопротивлением и низкими потерями. По сравнению с ранее использовавшимися корпусами компании Renesas размером 8x8мм, R2J20651NP снижает требуемую для своего монтажа площадь приблизительно наполовину. Так как драйвер может работать с величиной тока до 35А, на его основе легко можно создать DC-DC-преобразователь с высокой плотностью мощности.

R2J20651NP имеет функцию контроля температуры, которая формирует сигнал о перегреве когда температура микросхемы превышает 130°С. Этот сигнал далее может использоваться в соответствии с алгоритмом работы аппаратуры, например подав этот сигнал на микросхему управления блоком питания можно отключить всю систему. Силовые ключи могут контролировать свою температуру и тепловыделение, что дает возможность обнаруживать развитие аварийных режимов и перегрузки на ранних стадиях. Микросхема так же поддерживает режим прерывистой работы, в котором Mosfet-транзистор нижнего плеча принудительно отключается с помощью внутренней логической схемы, использующей сигнал LSDBL, подведенный к драйверу. Это предотвращает быстрый разряд или выбросы напряжения на нагрузке при работе с предварительным смещением, когда перед началом работы на выходе уже имеется напряжение и при повышении эффективности работы на небольшую нагрузку.

 

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 14.01.2009
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics