Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: SiB456DK и SiA416DJ – новые 100 В n-канальные MOSFET от Vishay

SiB456DK и SiA416DJ – новые 100 В n-канальные MOSFET от Vishay



Компания Vishay Intertechnology представила SiB456DK и SiA416DJ - новые мощные 100 В N-канальные TrenchFET MOSFET. SiB456DK и SiA416DJ являются первыми промышленными 100 В N-канальными устройствами в компактном, термически усиленном PowerPAK SC-75 1.6х1.6 мм и PowerPAK SC-70 2х2 мм с сопротивлением открытого канала менее 200 мОм и 100 мОм, соответственно.
Основные преимущества:

    Сопротивление до 83 мОм при 10 В приводит к снижению потерь проводимости, что уменьшает энергопотребление и увеличивает эффективность;
    Ультра-компактные корпуса 1.6х1.6 мм PowerPAK SC-75 и 2х2 мм PowerPAK SC-70 позволяют экономить место на печатной плате;
    Низкое сопротивление и заряд затвора. Ключевой показатель (FOM) – до 455 мОм-нК при 4.5 В;
    Сопротивление в диапазоне до 4.5 В упрощает управление затвором;

Новые MOSFET могут найти свое применение в повышающих преобразователях, DC/AC инверторах малой мощности и в миниатюрных DC/DC преобразователях для телекоммуникаций, POL приложениях и для светодиодного освещения в портативной технике.

Параметры

SiB456DK-T1-GE3

SiA416DJ –T1-GE3

VDS (В)

100

100

VGS (В)

20

20

RDS(ON) (мОм)

@ 10 В

185

83

 

@ 4.5 В

310

130

FOM (мОм-нК)

@ 10 В

611

540

 

@ 4.5 В

558

455

Корпус

PowerPAK SC-75

PowerPAK SC-70

 Источник: compel.ru

Дата публикации: 21.05.2013
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics