Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Мощные компоненты из SiC компании CREE достигли новых высот

Мощные компоненты из SiC компании CREE достигли новых высот



Компания CREE приступила к поставкам промышленных партий новых Zero Recovery выпрямителей Шоттки с током 50А и рабочим напряжением 1200В.

Новый выпрямитель CPW2-1200S050 демонстрирует способность компании CREE разрабатывать передовые изделия для преобразования энергии, которые могут значительно улучшить уровень эффективности в мощных инвертерах. Данное улучшение параметров означает, что такая аппаратура как преобразователи ветровой и солнечной энергии, привода промышленных моторов и электромобили, использующие изделия компании CREE, cмогут увеличить эффективность своей работы.

По сравнению с традиционными кремниевыми диодами, выпрямители Zero Recovery на основе SiC компании CREE могут помочь: упростить схему коррекции коэффициента мощности благодаря исключению необходимости применения демпферов и уменьшению количества необходимых компонентов; снизить потери мощности, что приводит к уменьшению температуры аппаратуры при работе; значительно снизить уровень генерируемых электромагнитных помех (EMI); лучше соответствовать новым требованиям по эффективности работы аппаратуры введенными  EPA, California Electric Commission и другими агентствами.

«Последнее улучшение в качестве материала, сделанное компанией CREE, позволяет нам расширить предложение нашей продукции в область более высоких мощностей, открывая целые пласты аппаратуры для применения наших мощных изделий на основе SiC», - говорит Джон Палмоур (John Palmour), исполнительный вице-президент отделения передовых изделий компании CREE. «Новое изделие является другим примером ведущей роли компании CREE в кремний-карбидных материалах и изделиях высокой мощности - оно может помочь разработчикам выполнить требования к эффективности, выдвигаемые всемирными энергетическими концернами».

CPW2-1200S050 достиг нового уровня мощности, благодаря значительному улучшению качества SiC материалов, достигнутого за последний год. Он также имеет самый большой в отрасли размер SiC кристалла, величина которого составляет 8,2x4мм. Фундаментом настоящих достижений служит субстрат с очень низкой плотностью дефектов, включая субстрат SiC с отсутствием микротрубок.

Такое выдающееся достижение в технологии стало возможным благодаря передовым исследованиям, проведенным компанией INTRINSIC SEMICONDUCTOR, приобретенной CREE в 2006 году, в сочетании с важными исследованиями под эгидой DARPA и Army Research Laboratories.

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 28.02.2007
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics