на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

SiC-диоды 6 поколения от Wolfspeed

Новости электроники
1 месяц назад

Новые SiC-диоды 6 поколения от Wolfspeed на 650 В в корпусе D-Pak


Являясь одним из лидеров в области карбид-кремниевых силовых компонентов, компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK).

Основной упор в новом поколении был сделан на уменьшении прямого падения напряжения диода Vf в открытом состоянии, уменьшении температурной зависимости напряжения Vf (T) и снижении обратного тока утечки.

Таблица. Сравнение SiC диодов 650 В 6-го и 3-го поколений

Наименование

If, A @ 155°C

Vf_typ, В@ 25°С

Vf_typ, В @ 175°С

Ir_max, мкА @ 175°C

Qc, нКл @ 400 В и 25°С

С, пФ @ 400 В и 1 МГц

C6D10065E

10

1,37

1,37

15

34

53

C3D10065E

10

1,5

2,0

24

24

40

C6D08065E

8

1,27

1,37

15

29

45

C3D08065E

8

1,5

2,1

20

20

32

C6D06065E

6

1,27

1,37

15

23

37

C3D06065E

6

1,5

2,0

15,5

15

25,5

C6D04065E

4

1,27

1,37

12

16

27

C3D04065E

4

1,4

1,7

12

10

15

 

Технические особенности

  • Самое низкое прямое падения напряжения Vf среди аналогов;
  • Существенно меньшая зависимость Vf от температуры в сравнении с третьим поколением SiC-диодов;
  • Практически нулевой ток обратного восстановления диода;
  • Экстремально низкий обратный ток утечки Ir;
  • Независимость процессов переключения от температуры;
  • Положительный температурный коэффициент напряжения Vf.

 

Целевые применения

  • Схемы ККМ;
  • Зарядные устройства;
  • Промышленные источники питания.

 

 

Источник: www.compel.ru