на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

SiC MOSFET на 1200 В от Wolfspeed для маломощных преобразователей энергии

Новости электроники
1 месяц назад

SiC MOSFET на 1200 В от Wolfspeed для маломощных преобразователей энергии


Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем режиме при температуре кристалла 100…150°С. Сопротивление открытого канала SiC MOSFET по сравнению с традиционными MOSFET гораздо менее зависит от температуры .

Новые транзисторы предлагаются в двух типах корпусов: TO-247-3 и TO-263-7.

 

Технические особенности:

  • Слабая зависимость сопротивления канала Rds(on) от температуры;
  • Рабочая температура кристалла до 175°С;
  • Низкие значения паразитных емкостей;
  • Высокие динамические параметры;
  • Увеличенная плотность мощности преобразователя;
  • Снижение размера, веса и требований к охлаждению преобразователю;
  • Два варианта исполнения по корпусам – TO-247-3 и TO-263-7 (D2PAK).

 

Целевые применения:

  • Высоковольтные источники питания мощностью до 500 Вт;
  • Преобразователи для собственных нужд транспорта;
  • Инверторы для солнечной энергетики;
  • Источники бесперебойного питания.

Источник: www.compel.ru