Компания ST Microelectronics выпустила новый гальванически изолированный драйвер STGAP2S для управления высоковольтными IGBT или SiC MOSFET. Драйвер выпускается в двух вариантах конфигурации: с раздельными выходами Sink/Source или с совмещённым выходом и функцией защиты от эффекта Миллера. Напряжение изоляции составляет 1700 В. Выходной ток драйверов составляет ±4 А, а максимальная частота коммутации достигает 4 МГц.
Основным применением данных драйверов являются инверторы высокой мощности, промышленные источники питания и преобразователи для солнечной и ветроэнергетики.
Технические характеристики
- два раздельных низкоомных выходных канала Source/Sink – ±4 А;
- диапазон напряжений питания – 4.5…28 В;
- время распространения входного импульса – 80 нс;
- напряжение изоляции – ±1700 В;
- возможна работа на частоте до 4.0 МГц;
- совместимость с логикой CMOS/TTL 3.3 В, 5.0 В;
- возможны две конфигурации драйверов – с раздельными выводами Sink/Source и с функцией защиты от эффекта Миллера;
- иммунитет к помехам до ±100 В/нс;
- встроенная защита от пониженного напряжения (UVLO),
- корпус SOIC-8.
Целевые применения
- инверторы для электропривода;
- сварочные системы;
- альтернативная энергетика;
- системы индукционного нагрева;
- системы бесперебойного питания;
- промышленные источники электропитания;
- корректоры коэффициента мощности.
Варианты конфигураций STGAP2S
Источник: www.compel.ru