Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Сильноточные MOSFET-транзисторы STM улучшают энергетическую эффективность

Сильноточные MOSFET-транзисторы STM улучшают энергетическую эффективность



Компания STMicroelectronics представила 250А MOSFET-транзистор поверхностного монтажа с самым низким сопротивлением включенного состояния на рынке, для минимизации потерь преобразования энергии и улучшения характеристик.

Новый транзистор, STV250N55F3, это первый мощный MOSFET-транзистор, сочетающий корпус PowerSO-10 компании ST с ленточным креплением, для получения очень низкого сопротивления корпуса без кристалла. Выполненный по STripFET III процессу производства высокой плотности компании ST, транзистор обеспечивает типовую величину сопротивления включенного состояния, 1,5мОм. Другими преимуществами STripFET III являются низкие потери коммутации и высокая устойчивость к лавинному пробою. Подключение истока транзистора через девять выводов уменьшает сопротивление включенного состояния, и дополнительно улучшает рассеивание тепла. Общая мощность рассеивания корпуса составляет 300Вт при температуре 25°С. Высокая величина рабочего тока позволяет разработчикам отказаться от использования параллельно включенных транзисторов, экономя тем самым занимаемое на плате место и затраты на комплектующие. Стандартная величина порогов управления так же упрощает схему драйвера для транзистора. STV250N55F3 предназначен для работы в приложениях с напряжением до 55В. Способность работать при температуре до 175°С, делает возможным использование STV250N55F3 в аппаратуре с мощным электроприводом, такой как  вилочные погрузчики, гольф-карты и транспортеры, а так же газонокосилки, инвалидные кресла и электромотоциклы. Надежность и устойчивость работы транзисторов гарантируется благодаря 100% тестированию на лавинный пробой и на этапе производства кристалла, и уже готовой продукции. В дальнейшем, транзистор будет иметь допуск для использования в автомобильных системах.

В этом же семействе, компания ST предлагает 55В транзистор STV200N55F3, который выпускается с подключением истока через четыре вывода и обеспечивает величину длительного тока стока 200А. В настоящее время доступны образцы STV250N55F3. Массовое производство транзистора запланировано на третий квартал 2008 года.

 

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 06.08.2008
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics