Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: STP6N120K3 – 1200В MOSFET транзистор по технологии SuperMesh3

STP6N120K3 – 1200В MOSFET транзистор по технологии SuperMesh3



STP6N120K3 и STW6N120K3 - новые транзисторы компании STMicroelectronics, производимые по технологии SuperMesh3.

Примечательная особенность транзисторов технологии SuperMesh3 серии K3 являются отличные параметры при высокой надежности по привлекательным ценам. Также транзистор имеет встроенный ограничительный диод для защиты затвора.

Отличительные параметры:

    рабочее напряжение: 1200 В;
    сопротивление открытого канала: 1,95 Ом (тип.);
    рабочий ток: 6 А;
    заряд затвора: 34 нК;
    встроенная защита затвора с помощью ограничительного диода;
    корпуса: TO-220 (STP6N120K3) и TO-247 (STW6N120K3).
 


Источник: www.terraelectronica.ru

 

Дата публикации: 24.06.2011
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics