RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

//www.radioradar.net/news/electronics_news/800v_mosfet_p7_coolmos.html

Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon

Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon.

Целевым применением MOSFET серии P7 являются изолированные AC-DC и DC-DC преобразователи, которые строятся на базе топологий Flyback и Forward с мощностью до 250-300 Вт. Семейство P7 будет интересно в первую очередь разработчикам, которые разрабатывают светодиодные драйверы, сетевые источники электропитания небольшой мощности, а также источники бесперебойного питания для слаботочного оборудования.

Динамические параметры MOSFET P7 с напряжением 800 В удалось уменьшить более чем на 50%, по сравнению с предыдущими семействами С3 и CE. Благодаря этому, потери выключения транзисторов существенно снижены, что дает разработчикам отличный задел для увеличения частоты коммутации преобразователей с последующим уменьшением габаритов конечного изделия.

Таблица 1. Технические параметры MOSFET серии P7

Наименование

Vdss, В

Корпус

Rds(on) тип./макс.@ 10Vgs, Ом

Ток Id @ 25°C, A

Ток Id @ 100°C, A

Qg, нКл

IPD80R280P7

800

D-PAK

0.24 / 0.28

17.0

10.6

36

IPD80R450P7

0.38 / 0.45

11.0

7.1

24

IPD80R1K4P7

1.2 / 1.4

4.0

2.7

10

IPD80R4K5P7

3.8 / 4.5

1.5

1.0

4

IPU80R1K4P7

I-PAK

1.2 / 1.4

4.0

2.7

10

IPU80R4K5P7

3.8 / 4.5

1.5

1.0

4

IPS80R1K4P7

I-PAK SL

1.2 / 1.4

4.0

2.7

10

IPP80R280P7

TO-220

0.24 / 0.28

17.0

10.6

36

IPP80R450P7

0.38 / 0.45

11.0

7.1

24

IPP80R1K4P7

1.2 / 1.4

4.0

2.7

10

IPA80R280P7

TO-220 FP

0.24 / 0.28

17.0

10.6

36

IPA80R450P7

0.38 / 0.45

11.0

7.1

24

IPA80R1K4P7

1.2 / 1.4

4.0

2.7

10

IPW80R280P7

TO-247

0.24 / 0.28

17.0

10.6

36

Технические преимущества:

Источник: www.compel.ru