RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

//www.radioradar.net/news/electronics_news/2005-12-01_11-09-53.html

INTERNATIONAL RECTIFIER анонсировала мощный MOSFET со сниженными омическими потерями

Компания INTERNATIONAL RECTIFIER выпустила IRF6648 - мощный MOSFET на напряжение 60 В с технологией монтажа DirectFET, имеющий сопротивление в открытом состоянии 7,0 мОм (при VGS=10V) и омические потери на 30% меньше, чем у ближайших аналогов. Одиночный IRF6648 в корпусе с площадью аналогичной SO-8 обеспечивает такие же параметры, как два прибора-аналога в “улучшенных корпусах SO-8” при параллельном включении. Данные транзисторы являются практически идеальными для изолированных DC/DC преобразователей, обычно используемых в телекоммуникационных и сетевых системах.

При использовании IRF6648 по вторичной стороне в изолированном преобразователе с регулируемым входным напряжением 48В, выходным 12В и мощностью 240Вт стандартная удельная плотность мощности в 12,3 Вт/ кв.см может быть улучшена на 15%. Это обеспечивается возможностью двустороннего охлаждения транзистора, предусмотренного технологией монтажа DirectFET MOSFET, и использованием дополнительного теплоотвода.

IRF6648 является универсальным прибором и может быть использован по вторичной стороне в изолированных DC/DC преобразователях с синхронным выпрямлением и величиной входного напряжения от 36В до 75В; по первичной стороне в полумостовых и мостовых изолированных DC/DC преобразователях; по первичной стороне в проходных схемах с активной защелкой и входным напряжением 24В, а также в AC/DC преобразователях с активной схемой ORing и выходным напряжением 48В.

Технология монтажа DirectFET MOSFET, защищенная патентом International Rectifier, представляет целую гамму новых возможностей при конструировании, которых не было у стандартных дискретных пластиковых корпусов. Металлическое основание, например, позволяет осуществить двустороннее охлаждение транзистора, что практически удваивает максимальный ток понижающих DC/DC преобразователей, используемых для питания современных микропроцессоров. Кроме того, приборы в корпусе DirectFET соответствуют требованиям ограничительного перечня на содержание опасных веществ (RoHS).

Источник: terraelectronica