RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

//www.radioradar.net/news/electronics_news/strongirfet_200_300_to_247ac.html

Новые 200-300V StrongIRFET от Infineon в корпусе TO-247AC

Транзисторы семейства StrongIRFET™ от Infineon позиционируются как замена недорогим MOSFET, выполненным по планарной технологии. Новые транзисторы характеризуются высоким уровнем допустимой токовой нагрузки, низкими значениями RDS(on), высокой стойкостью к перенапряжениям сток-исток и предназначены для работы на частотах до 100 кГц.

Благодаря снижению RDS(on) по сравнению с предыдущим поколением транзисторов, стала возможной замена двух транзисторов в корпусе TO-220 на один в TO-247, что даёт выигрыш как в габаритных размерах изделия, так и в отведении тепла. Также, благодаря оптимизации внутренних токоведущих проводников, удалось увеличить предельно допустимый выходной ток для данного корпуса. Так, например, для IRF200P222 в TO-247AC максимальный продолжительный ток стока при условиях TC = 25°C и VGS=10 В равен 182 А.

Новые транзисторы семейства StrongIRFET™ обладают повышенной стойкостью к импульсам перенапряжения сток-исток, а также к высоким dU/dt. Энергия для однократного или повторяющихся импульсов, а также максимально допустимый ток в режиме лавинного пробоя и подробные условия проведения измерений приведены в технических описаниях производителя (datasheet).

Наименование

VDS, В

RDS(on) макс., мОм при VGS=10 В

ID, А при TC =25 °C

Корпус

IRF200P222

200

6.6

182

TO-247AC

IRF200P223

11.5

100

IRF250P224

250

12.0

96

IRF250P225

22.0

69

IRF300P226

300

19.0

75

IRF300P227

40.0

50

 

 

Особенности StrongIRFET на 200-300 В

 

Целевые применения

 

Источник: www.compel.ru