RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

//www.radioradar.net/news/electronics_news/1200v_sic_mosfet.html

Новые 1200V SiC MOSFET третьего поколения C3M от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (CREE POWER) продолжает расширять семейство SiC MOSFET третьего поколения C3M, представив транзисторы на 1200 В с сопротивлением канала 75 мОм в корпусах TO-247-4L (C3M0075120K) и TO-263-7L (C3M0075120J).

Приборы оснащены дополнительным выводом эмиттера (т.н. вывод Кельвина), благодаря чему коммутационные потери могут быть значительно снижены. Как видно из рисунка ниже, потери на включение транзистора в трехвыводном корпусе TO-247 и (как следствие) общие динамические потери сильно зависят от тока сток-исток.

Применяя корпуса TO-247-4L и TO-263-7L, можно добиться значительного снижения мощности потерь, особенно, при работе в номинальном режиме. Кроме того, у данных корпусов увеличен изоляционный промежуток между силовыми выводами сток-исток, что позволяет использовать приборы в условиях повышенной загрязнённости среды.

Новое третье поколение чипов C3M™ отличается меньшим размеров полупроводниковой ячейки, что позволяет снизить сопротивление канала, а также цену конечного продукта. Кроме того, теперь для включения транзистора достаточно напряжения +15 В, что дает возможность использования для управления MOSFET широкой номенклатуры стандартных драйверов. Также была значительно улучшена температурная стабильность сопротивления канала, т.о. позволяя снизить статические потери в рабочем режиме транзистора.

Зависимость коммутационных потерь от тока сток-исток для корпусов TO-247 и TO-247-4L

Зависимость коммутационных потерь от тока сток-исток для корпусов TO-247 и TO-247-4L

 

Основные преимущества SiC MOSFET поколения C3M

Основные преимущества SiC MOSFET поколения C3M

 

Особенности 1200 В SiC MOSFET в корпусах TO-247-4L и TO-263-7L

 

Целевые применения

 

Источник: www.compel.ru