RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

//www.radioradar.net/news/electronics_news/mosfet_to247_to220.html

MOSFET от IR с малым сопротивлением получают корпус с усиленной теплоотдачей

Компания International Rectifier расширяет свой ряд MOSFET с напряжением 60, 75 и 100В для импульсных и бесперебойных источников питания, а также для промышленных применений. Эти новые приборы, расширяющие существующий ряд N-канальных транзисторов, имеют малое сопротивление во включенном состоянии, и установлены в корпус TO-247, обеспечивающий лучший отвод тепла по сравнению с корпусом TO-220. Сочетание новейшей технологии HEXFET MOSFET с использованием утопленных затворов и корпуса с улучшенным теплоотводом дает разработчикам больше возможностей для  реализации приложений  с жесткими требованиями по мощности  и тепловыделению.

В новом ряду следующие модели: IRFP3206PbF с напряжением 60В и величиной сопротивления во включенном состоянии 3мОм при напряжении затвор-исток 10В; IRFP3306PbF - напряжение 60В и сопротивление 4,2мОм; IRFP3077PbF - напряжение 75В и сопротивление 3,3 мОм, а также 100-вольтовые модели IRFP4110PbF, IRFP4310ZPbF и IRFP4410ZPbF с сопротивлением 4;5; 6,0 и 9,0мОм, соответственно.

 

Источник: terraelectronica.ru