RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

//www.radioradar.net/news/electronics_news/mosfet_stp6n62k3_stp3n62k3.html

MOSFET-транзисторы STP6N62K3 и STP3N62K3 по технологии SuperMESH3 от STMicroelectronics

Новая технология SuperMESH3 производства MOSFET-транзисторов STP6N62K3 и STP3N62K3 обеспечивает более низкое сопротивление открытого канала, что позволяет сократить потери мощности в импульсных преобразователях. Эту технологию отличает также высокая устойчивость к скорости нарастания напряжения (dU/dt) и большой запас по напряжению пробоя.

Новые транзисторы найдут применение в полумостовых коммутаторах электронных балластов ламп, а также в коммутаторах импульсных источников питания. Их применение позволяет существенно улучшить надежность и безопасность преобразовательной техники – светотехнических устройств и импульсных источников питания.


Основные характеристики STP6N62K3:

Основные характеристики STP3N62K3:

Внутренняя структура транзисторов STPxN62K3 показана на рисунке ниже.

Области применения: импульсные источники питания: квазирезонансные, прямоходовые, обратноходовые; энергосберегающие лампы; корректоры коэффициента мощности; источники бесперебойного питания.

Источник: terraelectronica.ru