RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/1000v_sic_mosfet.html

Первый в мире 1000V SiC MOSFET

Являясь пионером в области карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя портфолио новыми приборами.

Класс напряжения новых карбид-кремниевых транзисторов 1000 В позволяет проявить определенную гибкость в разработке изделий. Такой номинал напряжения, во-первых, охватывает большинство основных топологий силовых устройств. Во-вторых, для многих приложений уже нет необходимости использовать приборы на 1200 В, которые, как правило, более дорогие.

В течение последних 5 лет SiC MOSFET нашли свою нишу в силовых преобразователях для альтернативной энергетики, промышленных источниках питания и зарядных станциях электротранспорта, во многих случаях заменяя кремниевые IGBT. Карбид-кремниевые транзисторы превосходят традиционные кремниевые полевые транзисторы по основному технологическому показателю качества – Figure–Of–Merit (FOM определяется как Rds(on)·Qgate).

SiC MOSFET 3-го поколения:

Наименование

Vds(max) (В)

Rds(on) @ 25°C (мОм)

Ток Id @ 25°C (А)

Корпус

C3M0065090J

900

65

35

D2PAK-7

C3M0065090D

65

36

TO-247-3

C3M0120090D

120

23

TO-247-3

C3M0120090J

120

22

D2PAK-7

C3M0280090J

280

11.5

D2PAK-7

C3M0280090D

280

11.5

TO-247-3

C3M0065100K

1000

65

35

TO247-4

C3M0065100J

65

35

D2PAK-7

C3M0120100K

120

22

TO247-4

C3M0120100J

120

22

D2PAK-7

 

Технические особенности:

 

Системные преимущества:

 

Целевые применения:

Источник: www.compel.ru