RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

http://radioradar.net/news/electronics_news/coolsic_mosfet_650_v.html

Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC).

Для разработчиков новые транзисторы – это уникальная комбинация производительности, надежности и эффективности, а также малая зависимость сопротивления открытого канала Rds(on) от температуры по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET.

Особенности:

 

Области применения:

 

Пример использования MOSFET 650 В в схеме источника питания

Пример использования MOSFET 650 В в схеме источника питания

 

Наименование

Id @ 100°

Rds(on) (typ.) @ 25°C

Rds(on) (typ.) @ 150°C

Корпус

IMW65R027M1H

39 А

27 мОм

35 мОм

TO-247-3

IMW65R048M1H

24 А

48 мОм

63 мОм

TO-247-3

IMW65R072M1H

18 А

72 мОм

94 мОм

TO-247-3

IMW65R107M1H

13 А

107 мОм

139 мОм

TO-247-3

IMZA65R027M1H

39 А

27 мОм

35 мОм

TO-247-4

IMZA65R048M1H

24 А

48 мОм

63 мОм

TO-247-4

IMZA65R072M1H

18 А

72 мОм

94 мОм

TO-247-4

IMZA65R107M1H

13 А

107 мОм

139 мОм

TO-247-4

 

Источник: www.compel.ru