RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

http://radioradar.net/news/electronics_news/igt40r070d1e8220.html

IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon

Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как продолжение представленного ранее семейства 600 В и являются на текущий момент единственным 400 В решением среди изделий данного типа. IGT40R070D1E8220 имеют на борту встроенный внутренний диод (body diode) с нулевым зарядом обратного восстановления (Qrr) и оптимизированы в первую очередь для работы с аудиоусилителями класса D.

Особенности:

 

Области применения:

 

Пример использования транзисторов IGT40R070D1E8220

Пример использования транзисторов IGT40R070D1E8220

 

Источник: www.compel.ru