RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

http://radioradar.net/news/electronics_news/irfp4868_mosfet.html

IRFP4868 – силовой MOSFET с эталонным сопротивлением канала

Семейство IRFP4x68 силовых MOSFET в корпусе TO-247, выполненных по технологии HEXFET®-trench и имеющих эталонное сопротивление канала в открытом состоянии, расширилось за счет появления нового 300 В транзистора – IRFP4868. Семейство с успехом применяется в системах синхронного выпрямления, системах ORing и промышленных устройствах: электроприводе мощных двигателей постоянного тока, инверторах и электроинструментах.

 



Все транзисторы семейства IRFP4x68 обладают более низким (до 50%) сопротивлением по сравнению с конкурирующими решениями, что позволило отказаться от больших и дорогих корпусов, традиционно применяемых для транзисторов промышленного исполнения, снижая, тем самым, стоимость конечного устройства. Кроме того, низкое сопротивление уменьшает потери проводимости и повышает КПД системы.

Семейство IRFP4x68 сертифицировано для промышленного применения и перекрывает диапазон рабочих напряжений от 75 до 300 В. Максимально-допустимая рабочая температура p-n перехода составляет 175°С, что позволяет обеспечивать рабочий ток до 195 А для самого мощного представителя семейства. Все транзисторы выполнены по бессвинцовой технологии и безопасны для окружающей среды.
 

НаименованиеVdss, ВId при Tкорп=25°C, АId при Tкорп=100°C, АRds макс., мОмQg тип., нКл
IRFP4368PBF75350195*1.85380
IRFP4468PBF100290195*2.6360
IRFP4568PBF1501711255.9151
IRFP4668PBF200130929.7161
IRFP4768PBF250936617.5180
IRFP4868PBF300704932180
 

Источник: compel.ru