В режиме просмотра Вы видите содержимое реферате, контрольной или курсовой работы в виде простого текста, без изображений. Такой режим поможет Вам оценить содержимое реферата и принять решение о необходимости скачать ту или иную курсовую работу. Скачав реферат, вы получите полную электронную версию работы.

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

скачать реферат

УПИ УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 2 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

Вариант № 17 Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет Радиотехника Курс: 3

Работу не высылать. УПИ УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 2 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

Вариант № 17 Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет Радиотехника Курс: 3

Работу не высылать. Аннотация.

Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

Исходные данные:

Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б Величина напряжения питания Еп ……………………………………………... 5 В Сопротивление коллекторной нагрузки Rк …………………………………… 1,6 кОм Сопротивление нагрузки Rн ……………………………………………………. 1,8 кОм

Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.

Биполярный транзистор ГТ310Б.

Краткая словесная характеристика:

Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 г..

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ѓ = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более ……………. 3 дБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ = 50 1000 Гц ……………………………….. 60 180 Модуль коэффициента передачи тока H21э при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ = 20 МГц не менее …………………………... 8 Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ = 5 МГц не более ………………………….… 300 пс Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА …………………………………………………… 38 Ом Выходная проводимость в схеме с общей базой при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ = 50 1000 Гц не более …………………….. 3 мкСм Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ѓ = 5 МГц не более ………………………… 4 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер: при Rбэ= 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В при Rбэ= 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 308 К ………... 20 мВт Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до 328 К

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 328 К определяется по формуле:

PК.макс= ( 348 Т )/ 2

Входные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Iб, мкА200160120804000,050,10,150,20,250,30,35Uбэ,В

Выходные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Iк , мА 9876543210123456Uкэ,В Нагрузочная прямая по постоянному току.

Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:

Построим нагрузочную прямую по двум точкам: при Iк= 0, Uкэ= Еп = 9 В, и при Uкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА

Iк , мА 6 54 А3 Iк021012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В Iб, мкА504030 Iб020100 0,150,170,190,210,230,250,270,29 Uбэ00,31Uбэ,В Параметры режима покоя (рабочей точки А): Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В Величина сопротивления Rб:

Определим Hпараметры в рабочей точке.

Iк , мА 6 5 4ДIк0 3

ДIк 21012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В ДUкэ

Iб, мкА5040 ДIб30 Iб020100 0,150,170,190,210,230,250,270,29 Uбэ00,31Uбэ,В ДUбэ

ДIк0= 1,1 мА, ДIб0 = 10 мкА, ДUбэ = 0,014 В, ДIб = 20 мкА, ДUкэ= 4 В, ДIк= 0,3 мА

H-параметры:

Определим G параметры.

Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:

G-параметр: G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 6

G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 3 Ом

Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

Схема Джиаколетто физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):

Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна:

Определим граничные и предельные частоты транзистора.

Граничная частота коэффициента передачи тока:

Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером: Максимальная частота генерации:

Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:

Предельная частота проводимости прямой передачи: Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:

Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:

Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 3 * 847 = 6,7 В

Iк , мА 6 54 А3 Iк021012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В Определим динамические коэффициенты усиления.

Iк , мА 6 5

А4 ДIк 3 Iк021012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В ДUкэ

Iб, мкА5040 ДIб30 Iб020100 0,150,170,190,210,230,250,270,29 Uбэ00,31Uбэ,В ДUбэ

ДIк= 2,2 мА, ДUкэ= 1,9 В, ДIб = 20 мкА, ДUбэ = 0,014 В

Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению КU определяются соотношениями:

Выводы:

Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

Библиографический список.

1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.. 2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г. 3) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г. 4) Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г.. 5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г.. 6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г..





Текущая страница: 1

Листать страницы :
1