Рефераты, курсовые

Рефераты, курсовые, контрольные по радиоэлектронике, схемотехнике и связи


В нашем банке рефератов, контрольных и курсовых работ представлены работы по тематикам: радиоэлектроника, схемотехника, связь, комуникации, кибернетика, сети, компьютеры, информационные технологии. Вы можете сразу скачать необходимую вам курсовую, реферат или контрольную работу, либо просмотреть предварительно содержимое выбранного реферата без изображений, в виде простого текста, чтобы иметь представление о реферате или курсовой работе.



В режиме просмотра Вы видите содержимое реферате, контрольной или курсовой работы в виде простого текста, без изображений. Такой режим поможет Вам оценить содержимое реферата и принять решение о необходимости скачать ту или иную курсовую работу. Скачав реферат, вы получите полную электронную версию работы.

анализ архитектуры озу эвм различных поколений

скачать реферат



Естественно, что тогда особого внимания объёму память никто не уделял. Даже при работе с оперативной памятью используется обычная системная шина PS - bus или ISA. Проблемы возникли после появления процессоров линии 80386: тактовая частота последних составляла от 16 до 33 (а позднее 40) МГц. Не сложно подсчитать, что при этом длина такта находится в диапазоне от 25 до 60 нс., что существенно меньше, чем у распространённых на тот момент микросхем DRAM. Новые прикладные программы постоянно требовали всё большего объёма ОЗУ, что повышало требования к скорости обмена с памятью. В сложившейся ситуации память стала одним из важнейших факторов, влияющих на повышение быстродействия компьютеров. Путём введения отдельной шины памяти удалось лишь немного увеличить быстродействие, т.к. тактовая частота ISA до сих пор фиксирована на 8 МГц. К тому же отдельная шина была 32-разрядной как новые процессоры. После этого появились сложности с быстродействием самих микросхем. Переход на чисто статическое ОЗУ был не выгоден: цена готового компьютера возросла бы на порядок, а то и более.
Именно тогда в РС стали активно применять кэш-память, сначала одноуровневую, а затем (после появления процессора j486)- двухуровневую. Впрочем, это не могло значительно улучшить ситуацию: нужно было увеличить быстродействие всего объёма оперативной памяти и в то же время сохранить старую элементарную базу. Изменение ситуации коренным образом было невозможно: несмотря на все попытки даже сейчас полный цикл доступа к случайной ячейки ОЗУ составляет не менее 50 нс. Разработчики поставили задачу: ускорить по крайней мере наиболее часто встречающиеся операции. Как показывает практика, чаще всего доступ к ячейкам памяти происходит не случайным образом, а последовательно.

Страничный режим, расслоение банков


Ещё одна разновидность архитектуры оперативной памяти компьютера - это её разбивка на отдельные секции. В современных процессорах, например, такая операция специально оптимизирована: для считывания нескольких подряд идущих слов памяти достаточно передать адрес первого, а не всех требуемых слов. Соответственно уменьшается число передач данных по шине, к тому же, чем больше слов пересылается за один раз (так называемый пакетный режим), тем больше выигрыш. Сделано это в первую очередь для ускорения обменов «память - кэш». Для ускорения работы памяти в пакетном режиме были разработаны различные «хитрые» способы хранения информации: страничный режим, расслоение банков, быстрый страничный режим (FPM) и т. д.
Большая скорость доступа к ограниченным областям памяти является особенностью некоторых специфических микросхем, которые позволяют некоторому объёму, но не всей памяти, быть считанному без цикла ожидания. Этот подход требует специальных RAM микросхем, которые делят свои адреса по страницам. Эта технология получила название режима страничного доступа. Эти специальные микросхемы обеспечивают очень быстрый доступ в одном из двух направлений их организаций. Если требуется чтение или запись информации, хранящейся на определённой странице памяти, и предыдущая команда по работе с памятью использовала информацию с той же страницы, цикла ожидания не требуется. Однако при переходе с одной страницы на другую циклы ожидания неизбежны
Следующая интересная технология, названная interleavid memory, очень похожа на ОЗУ страничного режима. Она существенно повышает скорость обращения к памяти, но не имеет ограничений по страничной разбивке. При использовании этой технологии вся оперативная память разбивается на два или большее число банков. Последовательность битов хранится в разных банках, поэтому микропроцессор обращается то к одному, то к другому банку при чтении этой последовательности. Во время обращения к одному банку, другой реализует цикл обновления, и поэтому процессору не приходится ждать. И только, если микропроцессору приходится читать несмежные биты, статус ожидания неминуем, но вероятность его появления уменьшается.
Наиболее типовая реализация этой технологии представляется разбивкой оперативной памяти на два банка, А следовательно, вероятность возникновения ожидания - 50%..Четырёхбанковая организация уменьшает эту вероятность до 25%.
Так как данная технология не требует применения специальных микросхем памяти, она является наиболее удобной для повышения скорости системы. Кроме того она может совмещаться с ОЗУ страничного режима, что ещё больше увеличивает оперативность.

Память типа FPM DRAM использовалась долгие годы, а банки оказались настолько удачным решением, что используются в современной памяти по умолчанию, что оговорено в стандарте (например так сделано в SDRAM ).Всё это позволяло увеличивать быстродействие на несколько процентов, однако скорость работы нужно было повысить в несколько раз.
Ситуация усугубилась после появления процессора Pentium. Применение 64-разрядной шины памяти, работающей на частоте 66 МГц, повышало быстродействие обменов с памятью в четыре раза, по сравнению с наиболее часто используемой в компьютерах предыдущего поколения 32-рзрядной шиной на частоте 33-МГц. Однако для этого нужна была такая малость, как увеличение быстродействия самих модулей ОЗУ по меньшей мере в те же четыре раза.



Текущая страница: 4

Листать страницы :
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10  




RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor, САПР, CAD, electronics

Разработка: SecondFloor - Разработка фирменного стиля, графический дизайн


  Rating All.BY     Рейтинг@Mail.ru