Рефераты, курсовые
Рефераты, курсовые, контрольные по радиоэлектронике, схемотехнике и связи
В нашем банке рефератов, контрольных и курсовых работ представлены работы по тематикам: радиоэлектроника, схемотехника, связь, комуникации, кибернетика, сети, компьютеры, информационные технологии. Вы можете сразу скачать необходимую вам курсовую, реферат или контрольную работу, либо просмотреть предварительно содержимое выбранного реферата без изображений, в виде простого текста, чтобы иметь представление о реферате или курсовой работе.
- Рефераты - ПК, ИВТ, радиоэлектроника, компьютеры и периферийные устройствам
- Рефераты - информатика, программирование и кибернетика
- Рефераты - коммуникации и связь
- Рефераты - компьютерные сети, безопасность сетей
- Рефераты - радиоэлектроника и компьютеры
- Рефераты - электроника и схемотехника
В режиме просмотра Вы видите содержимое реферате, контрольной или курсовой работы в виде простого текста, без изображений. Такой режим поможет Вам оценить содержимое реферата и принять решение о необходимости скачать ту или иную курсовую работу. Скачав реферат, вы получите полную электронную версию работы.
анализ и оценка аппаратных средств современных пэвм
скачать реферат
Требования к объемам памяти диктуются программным обеспечением. При использовании Windows оценить необходимое количество памяти можно на основе тестов Winstone, использующих наиболее популярные приложения Windows. Соответствующие данные представлены на рисунке 1.
В качестве кэш-памяти второго уровня практиче ски всегда применялась (и до сих пор продолжа ет широко применяться) стандартная асинхрон ная память SRAM. При внешних тактовых частотах порядка 33 IAo хорошие результаты давала статическая память со временем выборки 15-20 ns. Для эффективной работы на частотах выше 50 IAo такого быстродействия уже недос таточно. Прямое уменьшение времени выборки до нужных величин (12-8 ns) обходится дорого, так как требует зачастую применения дорогой технологии Bi-CMOS вместо CMOS, что непри емлемо для массового рынка. Поэтому предла гаемое решение заключается в применении но вых типов памяти с усовершенствованной архи тектурой, которые первоначально были разрабо таны для мощных рабочих станций. Наиболее перспективна синхронная SRAM. В отличие от обычной асинхронной, она может использовать те же тактовые сигналы, что и остальная систе ма, поэтому и называется синхронной. Она снаб жена дополнительными регистрами для хране ния информации, что освобождает остальные элементы для подготовки к следующему циклу еще до того, как завершился предыдущий. Быст родействие памяти при этом увеличивается при мерно на 20%. Эффективную работу на самых высоких частотах может обеспечить особая раз новидность синхронной SRAM — с конвейерной организацией (pipelined burst). При ее при менении уменьшается число циклов, требую щихся для обращения к памяти в групповом ре жиме. Пример для тактовой частоты 66 IAo (Pentium 100 и Pentium 133) приведен в таблице1. В случае группового режима чтения-записи для первого обращения нужно 3 цикла, для каждого следующего — только 1.
Тип цикла
Асинхронная SRAM
Конвейерная SRAM
Single Read
3
3
Single Write
4
3
Burst Read
3-2-2-2
3-1-1-1
Burst Write
4-3-3-3
3-1-1-1
Так же, как и для статической памяти, прямое со кращение времени выборки для динамической памяти достаточно трудно технически осущест вимо и приводит к резкому росту стоимости. По этому ориентация в новых системах идет на микро схемы со временем выбор ки 60-70 ns. Стандартные микросхемы DRAM имеют страничную организацию памяти — Fast Page Mode (FPM), которая позволяет значительно ускорить дос туп к последовательно расположенным (в пределах страницы) данным по сравнению со случаем произвольной выборки. Поскольку обращения к последовательно распо ложенным данным в реальных задачах встреча ются очень часто, применение FPM DRAM замет но повышает производительность. FPM DRAM со временем выборки 60-70 ns обеспечивает необ ходимые характеристики для тактовых частот 33-40 IAo. При повышении тактовой частоты обеспечить надежное и быстрое считывание данных в страничном режиме уже не удается. Эту проблему в значительной степени решает применение памяти нового типа - EDO DRAM (Extended Data Output DRAM). От обычной памяти со страничной организацией она отличается на личием дополнительных регистров для хранения выходных данных. Увеличивается время, в тече ние которого данные хранятся на выходе микро схемы, что делает выходную информацию дос тупной для надежного считывания процессором даже при высоких тактовых частотах (фактически время между обращениями в страничном режи ме можно уменьшить до 30 ns по сравнению с 45 ns для FPM).
Радикальный, но не общепризнанный подход к повышению быстродействия динамической па мяти заключается во встраивании в микросхемы DRAM собственной кэш-памяти. Это Cached DRAM (CDRAM) и Enhanced DRAM (EDRAM). Па мять CDRAM выпускается фирмой Mitsubishi и имеет 16 KB кэш-памяти как на 4, так и на 16 Mbit кристалле, обмен между динамической и встро енной кэш-памятью осуществляется словами шириной 128 разрядов.
Вообще говоря, применение новых типов дина мической памяти позволяет получать высокую производительность даже и без применения кэш-памяти второго уровня (если кэш-память первого уровня — типа write back), особенно в случае CDRAM и Enhanced DRAM, которые имен но так и используются. Однако подавляющее большинство систем для достижения максимальной производительности строится все-таки с использованием кэш-памяти второго уровня. Для них наиболее подходит память типа EDO DRAM. К тому же она стала уже промышленным стандартом, и ее доля будет преобладать в мик росхемах памяти емкостью 16 Mbit и более. Фактически эта память приходит на смену стандартной FPM DRAM и ее можно применять в любых системах вместо стандартной.
Несмотря на то, что наиболее популярным кон структивом для динамической памяти по-прежнему остается SIMM (Single In-line Memory Module), начинают применяться и другие стан дарты. Возникновение новых стандартов вызва но необходимостью решения двух основных про блем. Первая связана с увеличением плотности упаковки элементов памяти, особенно актуаль ной для рабочих станций, использующих память очень большого объема, и мобильных систем. Вторая — с обеспечением устойчивой работы при высоких частотах, которая зависит от разме ров, емкости и индуктивности соединителя. Большую по сравнению с SIMM плотность упа ковки и, соответственно, объем памяти могут обеспечить модули типа DIMM (Dual In-line Memory Module), у которых, в отличие от SIMM, контакты на обеих сторонах модуля не объеди нены, а могут использоваться независимо.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
