Бытовая техника
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Комментировать: Ремонт телевизора Daewoo-20Q2MРаспечатать: Ремонт телевизора Daewoo-20Q2M

Ремонт телевизора Daewoo-20Q2M



Кинескопный телевизор, о котором пойдёт речь, собран на шасси CP-370 и проработал до выхода из строя около 10 лет. Учитывая этот довольно большой срок, в первую очередь измерителем ЭПС и ёмкости были проверены все оксидные конденсаторы. В результате на моноплате было обнаружено около десятка конденсаторов, потерявших ёмкость полностью (скорее всего, в них просто был обрыв) или частично. Первых оказалось всего два, при этом один из них был включён между выводами 3 и 4 микросхемы STR-S5707 блока питания (рис. 1), т. е. в цепь базы входящего в её состав мощного транзистора (условно обозначен как VT1), который оказался пробитым. Позиционного обозначения конденсатора (на рис. 1 - С1) на плате не было, но тем, кому доведётся иметь дело с подобной неисправностью, найти его будет нетрудно - он установлен между внешней стороной теплоотвода названной микросхемы и краем монтажной платы (на рис. 2 он фиолетового цвета). Его номинальная ёмкость - 220 мкФ, номинальное напряжение - 25 В.

Микросхема STR-S5707 блока питания

Рис. 1. Микросхема STR-S5707 блока питания

Плата устройства

Рис. 2. Плата устройства

Микросхема на рынке стоила дорого. Это заставило присмотреться к ней.Как видно из фрагмента её схемы (см. рис. 1), вышедший из строя мощный транзистор связан только с шиной её общего провода (к ней подключён его эмиттер), а коллектор и база соединены соответственно с выводами 1 и 3 микросхемы для подключения к внешним цепям. В связи с этим пришла простая мысль: заменить внутренний транзистор внешним, а микросхему впаять на её штатное место, откусив (или отогнув) её выводы 1 и 3. Внешний транзистор должен быть такой же, как в других телевизорах с кинескопами диагональю 20 дюймов и выше, блок питания которых выполнен на дискретных транзисторах.

Согласно техническим характеристикам микросхемы STR-S5707, ток коллектора встроенного транзистора n-p-n, о котором идёт речь, - 6 А (пиковое значение - 12 А), рассеиваемая на коллекторе мощность - 90 Вт, максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 850 В. Автор использовал в качестве внешнего снятый с неисправной платы транзистор 2SD2333 (n-p-n, 5 А, 80 Вт, 1500 В) в полностью пластмассовом корпусе, который можно крепить к теплоотводу без изолирующих прокладок. Для подключения к общему проводу микросхемы провода, идущего от эмиттера транзистора, примерно в трёх миллиметрах от её вывода 2 в плате просверлено отверстие (там проходит широкий печатный проводник).

Далее делают следующее. Выводы микросхемы, кроме первого и третьего (их лучше всего обрезать в непосредственной близости от корпуса микросхемы), вставляют в предназначенные для них отверстия в плате, после чего корпус её штатным винтом притягивают к теплоотводу, а выводы припаивают к печатным проводникам. Далее винт выкручивают, а корпус микросхемы, чтобы не нагревался, аккуратно отгибают от теплоотвода на 2...3 мм. Затем на плоскую сторону корпуса транзистора наносят теплопроводящую пасту и штатным винтом закрепляют его на тыльной стороне теплоотвода, как показано на рис. 2 (выводы транзистора должны располагаться под небольшим углом к плате, с таким расчётом, чтобы от них до расположенного ниже терморезистора петли размагничивания было 10...15 мм). Места пайки соединительных проводов к выводам транзистора изолируют отрезками поливинилхлоридной трубки, после чего провод, идущий от вывода базы, впаивают в отверстие под вывод 3 микросхемы, от коллектора - в отверстие под её вывод 1, а от эмиттера - в отверстие, просверленное рядом с выводом 2 (рис. 3).

Сборка элементов устройства

Рис. 3. Сборка элементов устройства

У заменяемого мощного транзистора микросхемы нет шунтирующих диодов и резисторов, у 2SD2333 между базой и эмиттером встроен резистор, а между коллектором и эмиттером - диод. Чтобы не менялся режим работы, лучше применить транзистор серии КТ872 (не забудьте в этом случае поместить между соединённым с коллектором фланцем транзистора и теплоотводом слюдяную прокладку).

В других телевизорах, с блоком питания на микросхеме STR-S5707, может встретиться внешний резистор сопротивлением несколько десятков ом, включённый между её выводами 4 и 2 (на рис. 1 - изображённый штриховыми линиями R1). Для уменьшения шунтирования управляющего сигнала номинал этого резистора при использовании в качестве внешнего транзистора с встроенным резистором между эмиттером и базой необходимо увеличить.

Дальнейшая проверка телевизора выявила пробой выходного транзистора строчной развёртки 2SD2499 (Q402). Его параметры в указанной выше последовательности - n-p-n, 6 А, 50 Вт, 1500 В, он был заменён транзистором 2SC5411 (n-p-n, 14 А, 60 Вт, 1500 В), применяемым в строчной развёртке телевизора фирмы Toshiba.

После замены всех оксидных конденсаторов с фактической ёмкостью ниже номинальной и двух указанных выше транзисторов телевизор работает нормально.

В заключение - небольшое уточнение по поводу произведённых замен транзисторов. Дело в том, что на момент ремонта телевизора автор не располагал информацией о структурной схеме транзисторов 2SD2499 и 2SC5411. Как выяснилось позднее, первый из них содержит встроенные резистор и диод, а второй - нет, поэтому на место внешнего транзистора лучше подошёл бы 2SC5411, а в строчной развёртке - 2SD2333.

Автор: М. Пашков, г. Орёл


Дата публикации: 09.02.2018
Мнения читателей

Нет комментариев. Ваш комментарий будет первый.


Вы можете оставить свой комментарий, мнение или вопрос по приведенному вышематериалу:








 



RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics