Рис. 1. Эквивалентная схема транзистора
Рис. 2. Эквивалентная схема транзистора
Рис. 3. Корпус типа TO3P, где 1 - база, 2 - коллектор, 3 - эмиттер, 4 - коллектор
Рис. 4. Корпус типа TO3PF, где 1 - база, 2 - коллектор, 3 - эмиттер, 4 - изолирован
KSC5029 (аналоги: BU508A, 2SC2793, 2SC3387, 2SC3459, 2SC3657, 2SC3783, 2SC4236)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE= 0 | - | - | - | 1100 | В | 1 - TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB= 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 2,0 A, lB = 0,4 A | - | - | 2,0 | В | |
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 4,5 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 15,0 | A | |
IB | Постоянный ток базы | - | - | - | 2,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC = 1,5 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | ТC = 25°C | - | - | 90,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 3,0 A, VCE = 200 В, RL = 133 Ом, RL= 133 R | - | - | 0,3 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 3,0 A, VCE = 200 В, RL= 133 Ом | - | - | 3 | мкс |
KSC5030 (аналоги: BU508A, BUV89, 2SC2793, 2SC3466, 2SC3643, 2SC3657, 2SC3783)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE= 0 | - | - | - | 1100 | В | 1 - TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB= 0 | - | - | - | 800 | B | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= 3,0 A, lB = 0,6 A | 2,0 | B | |||
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 6,0 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 20,0 | A | |
IB | Постоянный ток базы | - | - | - | 3,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC= 2,0 A, VCE = 5 В | 8,0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | ТC= 25°C | - | - | 100,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 4,0 A, VCE = 200 В, RL= 400 Ом, RL= 100R | - | - | 0,3 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 4,0 A, VCE = 400 В, RL = 100 Ом | - | - | 3 | мкс |
KSC5030F (аналоги: BU508AFI, 2SC4428, 2SC4584)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1100 | В | 1 - TO-3PF (рис. 4) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | lC = 3,0 A, lB = 0,6 A | - | - | 2,0 | В | |
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 6,0 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 20,0 | A | |
lB | Постоянный ток базы | - | - | - | 3,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | lC = 2,0 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 60,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 4,0 A, VCE = 400 В, RL = 100 Ом | - | - | 0,3 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 4,0 A, VCE = 400В, RL= 100 Ом | - | - | 3 | мкс |
KSC5086 (аналоги: BUH615D, 2SC4123, 2SC4744, 2SC4762, 2SC4769, 2SC5041)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE= 0 | - | - | - | 1100 | В | 1 - TO-3P (рис. 4) 2 - рис. 2 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB= 0 | - | - | - | 800 | B | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= 5,0 A, lB=1,2 A | 2,0 | B | |||
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 6,0 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 20,0 | A | |
IB | Постоянный ток базы | - | - | - | 3,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC= 1,0 A, VCE = 5 В | 8,0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | ТC = 25°C | - | - | 100,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 4,0 A, IB =0,8 A, VCC= 200 В | - | - | 0,2 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 4,0 A, lB = 0,8 A VCC = 200 В | - | - | 2 | мкс | |
| VF | Напряжение диода в прямом направлении | IF = 6,0 A | 2 | B |
KSC5088 (аналоги: BU2522AF, SТ2001HI, 28C3886A, 2SC3896, 2SC4758, 2SC5297, 2SC5449)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE= 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB= 0 | - | - | - | 800 | B | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= 6,0 A, lB =1,5 A | 5,0 | B | |||
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 8,0 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 15,0 | A | |
IB | Постоянный ток базы | - | - | - | 4,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC= 1,0 A, VC = 5 В | 8,0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | ТC = 25°C | - | - | 50,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 6,0 A, 1,2 A, VCC = 200 В | - | - | 0,2 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 6,0 A, 1,2 A, VCC = 200 В | - | - | 3 | мкс |
KSC5089 (аналоги: BU2522A, ST2001HI, 2SC3687, 2SC5297, 2SC5449)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 -TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | lC = 6,0 A, lB = 1,5A | - | - | 5,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 8,0 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 15,0 | A | |
IB | Постоянный ток базы | - | - | 4,0 | A | ||
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | lC = 1,0 A, VCE= 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 50,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 6,0 A, lB = 1,2 A, VCC = 200 В | - | 0,1 | 0,2 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 6,0 A, lB = 1,2 A, VCC = 200 В | - | - | 3,0 | мкс |
KSC5386 (аналоги: BU2508DF, ST1803DHI, 2SC2499, 2SC3892A, 2SC4123, 2SC4916)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1-TO-3PF (рис. 4) 2 - рис. 2 (RБ-Э = 33...50 Ом) |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | lC = 5,0 A, lB = 1,2 A | - | - | 5,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 7,0 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 14,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | lC = 1,0 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 50,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 4,0 A, lB = 0,8 A, VCC= 200 В | - | 0,1 | 0,2 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 4,0 A, lB = 0,8 A, VCC= 200 В | - | - | 2 | мкс | |
VF | Напряжение диода в прямом направлении | IF = 6,0 A | - | - | 2,0 | В |
KSD5060 (аналоги: BU705D, BUH315D, 2SD1290, 2SD1291, 2SD1728)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 -TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 2 (RБ-Э= 50 Ом) |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | lC = 2,0 A, lB = 0,6 A | - | - | 8,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 2,5 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 10,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | lC = 0,5 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 60,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 2,0 A, lB = 0,6 A, VCC = 200 В | - | - | 0,4 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 2,0 A, lB = 0,6 A, VCC = 200 В | - | - | 2 | мкс | |
Vf | Напряжение диода в прямом направлении | - | - | - | 2,0 | В |
KSD5061 (аналоги: BU706D, BUH315D, 2SC3480, 2SD1729)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при IE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 2 (RБ-Э=50 Ом) |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 2,0 A, IB = 0,8 A | - | - | 8,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 3,5 | A | |
ICM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 10,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC = 0,5 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 80,0 | Вт | |
tf | Время спада | IC = 3,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 0,4 | мкс | |
ts | Время рассасывания | IC = 3,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 3 | мкс | |
VF | Напряжение диода в прямом направлении | - | - | - | 2,0 | В |
KSD5062 (аналоги: BU706D, BU2508D, ST1803DHI, 2SC2499, 2SC3481, 2SC3681)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при IE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 2 (RБ-Э=50 Ом) |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 4,0 A, IB = 0,8 A | - | 3,0 | 5,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 5,0 | A | |
ICM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 16,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC= 1,0 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 120,0 | Вт | |
tf | Время спада | IC = 4,0 A, IB= 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 0,4 | мкс | |
ts | Время рассасывания | IC = 4,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 3,5 | мкс | |
VF | Напряжение диода в прямом направлении | IF = 1,0 A | - | - | 2,0 | В |
KSD5064 (аналоги: BUH315, 2SD705, 2SC3483, 2SD1493, 2SD1494)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при IE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= 6,0 A, IB =1,5 A | - | - | 8,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 2,5 | A | |
ICM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 10,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC = 1,0 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 80,0 | Вт | |
tf | Время спада | IC = 2,0 A, IB = 0,6 A, VCC = 200 В | - | 0,1 | 0,4 | мкс | |
ts | Время рассасывания | IC = 2,0 A, IB = 0,6 A, VCC = 200 В | - | - | 4 | мкс |
KSD5065 (аналоги: BUH315, 2SC3484, 2SD706, 2SD1495)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при IE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 2,5 A, IB = 0,8 A | - | - | 8,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 3,5 | A | |
ICM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 10,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC = 0,5 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 80,0 | Вт | |
tf | Время спада | IC = 3,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | 0,1 | 0,4 | мкс | |
ts | Время рассасывания | IC = 3,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 3.5 | мкс |
KSC5066 (аналоги: BU2508A, ST1802HI, 2SC3685, 2SC3895, 2SC4429, 2SD706, 2SD1496, 2SD1497)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при IE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 4,0 A, IB = 0,8 A | - | - | 8,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 5,0 | A | |
ICM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 16,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC= 1,0 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 120,0 | Вт | |
tf | Время спада | IC = 4,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 0,4 | мкс | |
ts | Время рассасывания | IC = 4,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 3.5 | мкс |
KSD5068 (аналоги: BU2508A, ST2001HI, 2SC3687, 2SC3688, 2SC5297, 2SC5449)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при IE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 6,0 A, IB = 1,2 A | - | - | 5,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 8,0 | A | |
ICM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 30,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC = 6,0 A, VCE = 5 В | 5.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 150,0 | Вт | |
tf | Время спада | IC = 6,0 A, IB= 1,2 A, VCC = 200 В | - | - | 0,3 | мкс | |
ts | Время рассасывания | IC = 6,0 A, IB= 1,2 A, VCC = 200 В | - | - | 3 | мкс |
KSC5070 (аналоги: BU705DF, 2SD1649, 2SD1876)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3PF (рис. 4) 2 - рис. 2 (RБ-Э = 50 Ом) |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 2,0 A, IB = 0,6 A | - | - | 8,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 2,5 | A | |
ICM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 10,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC = 0,5 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 50,0 | Вт | |
tf | Время спада | IC = 2,0 A, IB = 0,6 A, VCC = 200 В | - | - | 0,4 | мкс | |
ts | Время рассасывания | IC = 2,0 A, IB = 0,6 A, VCC = 200 В | - | - | 4 | мкс | |
VF | Напряжение диода в прямом направлении | IF = 2,5 A | - | - | 2,0 | В |
KSD5071 (аналоги: BU706DF, 2SD1650, 2SD1877)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1- корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3PF (рис. 4) 2 - рис. 2 (RБ-Э = 50 Ом) |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 2,5 A, IB = 0,8 A | - | - | 8,0 | В | |
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 3,5 | A | |
ICM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 10,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC = 0,5 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 50,0 | Вт | |
tf | Время спада | IC = 3,0 A, IB= 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 0,4 | мкс | |
ts | Время рассасывания | IC = 3,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 3.5 | мкс | |
VF | Напряжение диода в прямом направлении | IF = 3,5 A | - | - | 2,0 | В |
KSD5072 (аналоги: BU706DF, BU2508DF, 2SC4122, 2SD1878)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3PF (рис. 4) 2 - рис. 2 (RБ-Э = 50 Ом) |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 4,0 A, IB = 0,8 A | - | 3,0 | 5,0 | В | |
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 5,0 | A | |
ICM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 16,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | IC = 5,0 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 60,0 | Вт | |
tf | Время спада | IC = 4,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 0,4 | мкс | |
ts | Время рассасывания | IC = 4,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 3.5 | мкс | |
VF | Напряжение диода в прямом направлении | IF = 5,0 A | - | - | 2,0 | В |
KSD5074 (аналоги: BU705F, BUH315, 2SD1653, 2SD1882)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3PF (рис. 4) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | lC = 2,0 A, lB = 0,6 A | - | - | 8,0 | В | |
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 2,5 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 10,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | lC = 0,5 A, VCE = 5 В | 5.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 50,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 2,0 A, lB = 0,6 A, VCC = 200 В | - | - | 0,4 | мкс | |
ts | Время рассасывания | IC = 2,0 A, IB = 0,6 A, VCC = 200 В | - | - | 3.5 | мкс |
KSD5075 (аналоги: BU706F, BUH315, 2SC4142, 2SD1654, 2SD1883)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3PF (рис. 4) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | lC = 2,5 A, lB = 0,8 A | - | - | 8,0 | В | |
IC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 3,5 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 10,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | lC = 0,5 A, VCE = 5 В | 8.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 50,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 3,0 A, lB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 0,4 | мкс | |
| ts | Время рассасывания | lC = 3,0 A, lB = 0,8 A, VCC = 200 В | 3.5 | мкс |
KSD5076 (аналоги: BU706F, BU2508AF, ST1802HI, 2SC3895, 2SC4429, 2SC4142, 2SD1655)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3PF (рис. 4) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | lC = 4,0 A, lB = 0,8 A | - | - | 5,0 | В | |
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 8,0 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 30,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | lC = 1,0A, VCE = 5 В | 5.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC = 25°C | - | - | 150,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 4,0 A, lB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 0,3 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 4,0 A, lB = 0,8 A, VCC = 200 В | - | - | 3 | мкс |
KSD5078 (аналоги: BU2508AF, ST2001HI, 2SC3896, 2SC5067, 2SC5297, 2SC5449, 2SD1886)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3PF (рис. 4) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | lC = 6,0 A, lB = 1,2 A | - | - | 5,0 | В | |
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 8,0 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 30,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | lC = 6,0A, VCE = 5 В | 5.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC= 25°C | - | - | 70,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В | - | - | 0,3 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В | - | - | 3 | мкс |
KSD5080 (аналоги: BU2508DF, BUH615D, 2SC4123, 2SC4124, 2SC4744, SC4762, 2SC4769, 2SD1880)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3PF (рис. 4) 2 - рис. 2 (RБ-Э = 50 Ом) |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | lC = 6,0 A, lB = 1,2 A | - | 3,0 | 5,0 | В | |
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 8,0 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 30,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | lC = 6,0 A, VCE = 5 В | 5.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC= 25°C | - | - | 70,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В | - | 0,1 | 0,3 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В | - | - | 3 | мкс | |
VF | Напряжение диода в прямом направлении | lF = 58,0 A | - | - | 2,0 | В |
KSD5090 (аналоги: BU2508D, BU2520D, ST2001HI, 2SC3683, 2SC5297, 2SC5449)
Символ | Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | Примечание: 1 - корпус 2 - схема |
VCBO | Напряжение коллектор-база при lE = 0 | - | - | - | 1500 | В | 1 - TO-3P (рис. 3) 2 - рис. 1 |
VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0 | - | - | - | 800 | В | |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | lC = 6,0 A, lB = 1,2 A | - | - | 5,0 | В | |
lC | Постоянный ток коллектора | - | - | - | 8,0 | A | |
lCM | Предельно допустимый ток коллектора | - | - | - | 30,0 | A | |
hEF | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой | lC = 6,0A, VCE = 5 В | 5.0 | - | - | - | |
Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | TC= 25°C | - | - | 150,0 | Вт | |
tf | Время спада | lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В | - | 0,1 | 0,3 | мкс | |
ts | Время рассасывания | lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В | - | - | 3 | мкс |
Примечание: IF - прямой ток диода; RL - сопротивление нагрузки; VCC - напряжение питания; TC - температура окружающей среды.
Автор: Геннадий Романов (г. Москва)
Источник: Ремонт и сервис