Datasheets
Datasheet, поиск datasheets, архив даташитов по электронным компонентам
Для поиска datasheets (документации) по электронным компонентам воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска datasheet по алфавиту. Наша база содержит более 1 000 000 даташитов в виде pdf-файлов доступных для закачки. Если вы не нашли нужного Вам datasheet, обратитесь к администрации проекта или воспользуйтесь форумом по поиску даташитов и документации по электронным компонентам. Надеемся, что наш архив datasheet и документации по электронным компонентам поможет вам найти необходимую вам документацию.
Более 1 000 000 datasheets например: LM317
ETC 2SC3012 - 2SC3012 (ETC) - PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR
| Наименование: | 2SC3012 |
|---|---|
| Производитель: | ETC |
| Файл: | 2SC3012_ETC.pdf |
| Скачать datasheet: |
|
| Описание: | SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3012 DESCRIPTION В·With TO-3PN package В·Complement to type 2SA1232 В·High transition frequency APPLICATIONS В·Audio frequency power amplifier. PINNING 1 2 3 Base PIN DESCRIPTION Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 130 130 5 10 15 100 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current CONDITIONS IC=5A; IB=0.5A IC=5A; IB=0.5A VCB=130V; IE=0 VEB=3V; IC=0 IC=2A ; VCE=5V IC=5A ; VCE=5V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=1A ; VCE=5V 60 40 MIN 2SC3012 SYMBOL VCEsat VBEsat ICBO TYP. 0.6 1.3 MAX 1.5 2.0 50 50 320 UNIT V V ВµA ВµA IEBO Emitter cut-off current hFE-1 hFE-2 Cob fT DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency 150 60 pF MHz hFE-1 Classifications R 60-120 Q 100-200 P 160-320 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3012 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:В±0.1mm) 3 |
