Datasheets
Datasheet, поиск datasheets, архив даташитов по электронным компонентам
Для поиска datasheets (документации) по электронным компонентам воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска datasheet по алфавиту. Наша база содержит более 1 000 000 даташитов в виде pdf-файлов доступных для закачки. Если вы не нашли нужного Вам datasheet, обратитесь к администрации проекта или воспользуйтесь форумом по поиску даташитов и документации по электронным компонентам. Надеемся, что наш архив datasheet и документации по электронным компонентам поможет вам найти необходимую вам документацию.
Более 1 000 000 datasheets например: LM317
Fuji Electric 2SK2003-01MR - 2SK2003-01MR (Fuji Electric) - N-channel MOS-FET
| Наименование: | 2SK2003-01MR |
|---|---|
| Производитель: | Fuji Electric |
| Файл: | 2SK2003-01MR_Fuji Electric.pdf |
| Скачать datasheet: |
|
| Описание: | 2SK2003-01MR FAP-IIA Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = В± 30V Guarantee Avalanche Proof N-channel MOS-FET 600V 2,4Ω 4A 40W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS DC-DC converters General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics - Absolute Maximum Ratings (TC=25В°C), unless otherwise specified Item Drain-Source-Voltage Drain-Gate-Voltage(RGS=20KΩ) Continous Drain Current Pulsed Drain Current Gate-Source-Voltage Max. Power Dissipation Operating and Storage Temperature Range Symbol V DS V DGR ID I D(puls) V GS PD T ch T stg Rating 600 600 4 16 В±30 40 150 -55 ~ +150 Unit V V A A V W В°C В°C > Equivalent Circuit - Electrical Characteristics (TC=25В°C), unless otherwise specified Item Drain-Source Breakdown-Voltage Gate Threshhold Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate Source Leakage Current Drain Source On-State Resistance Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr) Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf) Avalanche Capability Continous Reverse Drain Current Pulsed Reverse Drain Current Diode Forward On-Voltage Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Symbol V (BR)DSS V GS(th) I DSS I R g C C C t t t t I I I V t Q GSS DS(on) fs iss oss rss d(on) r d(off) f AV DR DRM SD rr rr Test conditions ID=1mA VGS=0V ID=1mA VDS=VGS VDS=600V Tch=25В°C VGS=0V Tch=125В°C VGS=В±30V VDS=0V ID=2A VGS=10V ID=2A VDS=25V VDS=25V VGS=0V f=1MHz VCC=300V ID=4A VGS=10V RGS=10 Ω L=100ВµH Tch=25В°C Min. 600 2,5 Typ. 3,0 10 0,2 10 2 4 1000 85 20 20 15 45 15 Max. 3,5 500 1,0 100 2,4 1500 130 30 30 25 70 25 4 16 1,65 2 4 IF=2xIDR VGS=0V Tch=25В°C IF=IDR VGS=0V -dIF/dt=100A/Вµs Tch=25В°C 1,1 400 2 Unit V V ВµA mA nA Ω S pF pF pF ns ns ns ns A A A V ns ВµC - Thermal Characteristics Item Thermal Resistance Symbol R th(ch-a) R th(ch-c) Test conditions channel to air channel to case Min. Typ. Max. 62,5 3,125 Unit В°C/W В°C/W FUJI ELECTRIC GmbH; Lyoner StraГџe 26; D-60528 Frankfurt; Tel: 069-66 90 29-0; Fax: 069-66 90 29-56 N-channel MOS-FET 600V 2,4Ω 2SK2003-01MR FAP-IIA Series Drain-Source-On-State Resistance vs. Tch Typical Transfer Characteristics 4A 40W > Characteristics Typical Output Characteristics ↑ ID [A] 1 ↑ RDS(ON) [Ω] 2 ↑ ID [A] 3 VDS [V] в†’ Tch [В°C] в†’ VGS [V] в†’ Typical Drain-Source-On-State-Resistance vs. ID Typical Forward Transconductance vs. ID Gate Threshold Voltage vs. Tch ↑ RDS(ON) [Ω] 4 ↑ gfs [S] 5 ↑ VGS(th) [V] 6 ID [A] в†’ ID [A] в†’ Tch [В°C] в†’ Typical Capacitance vs. VDS Typical Input Charge Forward Characteristics of Reverse Diode ↑ C [nF] 7 ↑ VDS [V] 8 ↑ VGS [V] ↑ IF [A] 9 VDS [V] в†’ Qg [nC] в†’ VSD [V] в†’ Allowable Power Dissipation vs. TC Safe operation area ↑ Zth(ch-c) [K/W] Transient Thermal impedance ↑ PD [W] 10 ↑ ID [A] 12 11 Tc [В°C] в†’ VDS [V] в†’ t [s] в†’ This specification is subject to change without notice! |
