Datasheets
Datasheet, поиск datasheets, архив даташитов по электронным компонентам
Для поиска datasheets (документации) по электронным компонентам воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска datasheet по алфавиту. Наша база содержит более 1 000 000 даташитов в виде pdf-файлов доступных для закачки. Если вы не нашли нужного Вам datasheet, обратитесь к администрации проекта или воспользуйтесь форумом по поиску даташитов и документации по электронным компонентам. Надеемся, что наш архив datasheet и документации по электронным компонентам поможет вам найти необходимую вам документацию.
Более 1 000 000 datasheets например: LM317
Fuji Electric 2SK2004-01S - 2SK2004-01S (Fuji Electric) - N-channel MOS-FET
| Наименование: | 2SK2004-01S |
|---|---|
| Производитель: | Fuji Electric |
| Файл: | 2SK2004-01S_Fuji Electric.pdf |
| Скачать datasheet: |
|
| Описание: | 2SK2004-01L,S FAP-IIA Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = В± 30V Guarantee Avalanche Proof N-channel MOS-FET 1000V 3,6Ω 4A 80W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS DC-DC converters General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics - Absolute Maximum Ratings (TC=25В°C), unless otherwise specified Item Drain-Source-Voltage Drain-Gate-Voltage (RGS=20KΩ) Continous Drain Current Pulsed Drain Current Gate-Source-Voltage Max. Power Dissipation Operating and Storage Temperature Range Symbol V DS V DGR ID I D(puls) V GS PD T ch T stg Rating 1000 1000 4 16 В±30 80 150 -55 ~ +150 Unit V V A A V W В°C В°C > Equivalent Circuit - Electrical Characteristics (TC=25В°C), unless otherwise specified Item Drain-Source Breakdown-Voltage Gate Threshhold Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate Source Leakage Current Drain Source On-State Resistance Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr) Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf) Avalanche Capability Continous Reverse Drain Current Pulsed Reverse Drain Current Diode Forward On-Voltage Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Symbol V (BR)DSS V GS(th) I DSS I R g C C C t t t t I I I V t Q GSS DS(on) fs iss oss rss d(on) r d(off) f AV DR DRM SD rr rr Test conditions ID=1mA VGS=0V ID=1mA VDS=VGS VDS=1000V Tch=25В°C VGS=0V Tch=125В°C VGS=В±30V VDS=0V ID=2A VGS=10V ID=2A VDS=25V VDS=25V VGS=0V f=1MHz VCC=600V ID=4A VGS=10V RGS=10 Ω Tch=25В°C L = 100ВµH Min. 1000 2,5 Typ. 3,0 10 0,2 10 2,7 5 1300 100 35 20 15 85 20 Max. 3,5 500 1,0 100 3,6 1950 150 55 30 25 130 30 4 16 1,65 2 4 IF=2xIDR VGS=0V Tch=25В°C IF=IDR VGS=0V -dIF/dt=100A/Вµs Tch=25В°C 1,1 400 3 Unit V V ВµA mA nA Ω S pF pF pF ns ns ns ns A A A V ns ВµC - Thermal Characteristics Item Thermal Resistance Symbol R th(ch-a) R th(ch-c) Test conditions channel to air channel to case Min. Typ. Max. 125 1,56 Unit В°C/W В°C/W Collmer Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX - 75370 - 972-233-1589 - FAX 972-233-0481 - http://www.collmer.com N-channel MOS-FET 1000V 3,6Ω 2SK2004-01L,S FAP-IIA Series Drain-Source-On-State Resistance vs. Tch Typical Transfer Characteristics 4A 80W > Characteristics Typical Output Characteristics ↑ ID [A] 1 ↑ RDS(ON) [Ω] 2 ↑ ID [A] 3 VDS [V] в†’ Tch [В°C] в†’ VGS [V] в†’ Typical Drain-Source-On-State-Resistance vs. ID Typical Forward Transconductance vs. ID Gate Threshold Voltage vs. Tch ↑ RDS(ON) [Ω] 4 ↑ gfs [S] 5 ↑ VGS(th) [V] 6 ID [A] в†’ ID [A] в†’ Tch [В°C] в†’ Typical Capacitance vs. VDS Typical Input Charge Forward Characteristics of Reverse Diode ↑ C [nF] 7 ↑ VDS [V] 8 ↑ VGS [V] ↑ IF [A] 9 VDS [V] в†’ Qg [nC] в†’ VSD [V] в†’ Allowable Power Dissipation vs. TC Safe operation area ↑ Zth(ch-c) [K/W] Transient Thermal impedance ↑ PD [W] 10 ↑ ID [A] 12 11 Tc [В°C] в†’ VDS [V] в†’ t [s] в†’ This specification is subject to change without notice! |
