на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Полевые транзисторы trench HEXFET с высоким уровнем постоянного тока

Справочник
5 лет назад

Полевые транзисторы trench HEXFET® с высоким уровнем постоянного тока стока и низким сопротивлением открытого канала


Компания International Rectifier представила N-канальные полевые транзисторы в диапазоне напряжений от 60 до 200 В, изготовленные по технологии trench HEXFET® Power MOSFETs.

Они характеризуются высоким постоянным током стока и предназначены для применения в схемах управления промышленными батареями, мощными двигателями постоянного тока, электроинструмента и в блоках питания.

Основные электрические характеристики

Обозначение

Тип канала

Bvdss (В)

RDS(on) (Ом)

Id @ 25°C (A)

Qg(нс)

Корпус

IRFB3006PBF

N

60

2.5

195

200

TO-220

IRFS3006PBF

N

60

2.5

195

200

D2PAK

IRFS3006-7PPBF

N

60

2.1

240

200

D2PAK-7

IRFS3107PBF

N

75

3.0

195

160

D2PAK

IRFS3107-7PPBF

N

75

2.6

240

160

D2PAK-7

IRFS4010PBF

N

100

4.7

180

143

D2PAK

IRFS4010-7PPBF

N

100

4.0

190

150

D2PAK-7

IRFB4115PBF

N

150

11

104

77

TO-220

IRFS4115PBF

N

150

12.1

99

77

D2PAK

IRFS4115-7PPBF

N

150

11.8

105

73

D2PAK-7

IRFB4127PBF

N

200

20

76

100

TO-220

IRFS4127PBF

N

200

22

72

100

D2PAK

Данные транзисторы обеспечивают уровень постоянного тока стока до 195 А, обладают низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и выполнены в корпусах TO-220, D2PAK и TO-26. В 7-выводном корпусе D2PAK уровень тока стока составляет 240 А, что делает транзистор одним из наиболее надежных приборов данного класса. Устройства выполнены по бессвинцовой технологии и соответствуют директиве RoHS.

Источник: Ремонт и сервис

Мнения читателей
  • МАРГАРИТА/23.04.2018 - 16:22

    РАЗМЕРЫ СТРУКТУР HEXFET ;ДЛИНА КАНАЛА, ПЛОЩАДЬ НА КРИСТАЛЛЕ ОДНОГО ТРАНЗИСТОРА САМЫЕ ПОСЛЕДНИЕ ДАННЫЕ

Вы можете оставить свой комментарий, мнение или вопрос по приведенному выше материалу:

Поля, обязательные для заполнения