Справочник
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Комментировать: Высоковольтные биполярные транзисторы фирмы SAMSUNG и их аналогиРаспечатать: Высоковольтные биполярные транзисторы фирмы SAMSUNG и их аналоги

Высоковольтные биполярные транзисторы фирмы SAMSUNG и их аналоги


"Справочник" - информация по различным электронным компонентам: транзисторам, микросхемам, трансформаторам, конденсаторам, светодиодам и т.д. Информация содержит все, необходимые для подбора компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию радиоэлементов.


Рис. 1. Эквивалентная схема транзистора

Рис. 2. Эквивалентная схема транзистора

Рис. 3. Корпус типа TO3P, где 1 - база, 2 - коллектор, 3 - эмиттер, 4 - коллектор

Рис. 4. Корпус типа TO3PF, где 1 - база, 2 - коллектор, 3 - эмиттер, 4 - изолирован

KSC5029 (аналоги: BU508A, 2SC2793, 2SC3387, 2SC3459, 2SC3657, 2SC3783, 2SC4236)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE= 0

-

-

-

1100

В

1 - TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB= 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC = 2,0 A, lB = 0,4 A

-

-

2,0

В

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

4,5

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

15,0

A

IB

Постоянный ток базы

-

-

-

2,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC = 1,5 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

ТC = 25°C

-

-

90,0

Вт

tf

Время спада

lC = 3,0 A, VCE = 200 В, RL = 133 Ом, RL= 133 R

-

-

0,3

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 3,0 A, VCE = 200 В, RL= 133 Ом

-

-

3

мкс

KSC5030 (аналоги: BU508A, BUV89, 2SC2793, 2SC3466, 2SC3643, 2SC3657, 2SC3783)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE= 0

-

-

-

1100

В

1 - TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB= 0

-

-

-

800

B

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC= 3,0 A, lB = 0,6 A

2,0

B

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

6,0

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

20,0

A

IB

Постоянный ток базы

-

-

-

3,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC= 2,0 A, VCE = 5 В

8,0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

ТC= 25°C

-

-

100,0

Вт

tf

Время спада

lC = 4,0 A, VCE = 200 В, RL= 400 Ом, RL= 100R

-

-

0,3

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 4,0 A, VCE = 400 В, RL = 100 Ом

-

-

3

мкс

KSC5030F (аналоги: BU508AFI, 2SC4428, 2SC4584)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1100

В

1 - TO-3PF (рис. 4)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

lC = 3,0 A, lB = 0,6 A

-

-

2,0

В

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

6,0

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

20,0

A

lB

Постоянный ток базы

-

-

-

3,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

lC = 2,0 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

60,0

Вт

tf

Время спада

lC = 4,0 A, VCE = 400 В, RL = 100 Ом

-

-

0,3

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 4,0 A, VCE = 400В, RL= 100 Ом

-

-

3

мкс

KSC5086 (аналоги: BUH615D, 2SC4123, 2SC4744, 2SC4762, 2SC4769, 2SC5041)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE= 0

-

-

-

1100

В

1 - TO-3P (рис. 4)

2 - рис. 2

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB= 0

-

-

-

800

B

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC= 5,0 A, lB=1,2 A

2,0

B

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

6,0

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

20,0

A

IB

Постоянный ток базы

-

-

-

3,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC= 1,0 A, VCE = 5 В

8,0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

ТC = 25°C

-

-

100,0

Вт

tf

Время спада

lC = 4,0 A, IB =0,8 A, VCC= 200 В

-

-

0,2

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 4,0 A, lB = 0,8 A VCC = 200 В

-

-

2

мкс

VF Напряжение диода в прямом направлении IF = 6,0 A 2 B

KSC5088 (аналоги: BU2522AF, SТ2001HI, 28C3886A, 2SC3896, 2SC4758, 2SC5297, 2SC5449)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE= 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB= 0

-

-

-

800

B

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC= 6,0 A, lB =1,5 A

5,0

B

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

8,0

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

15,0

A

IB

Постоянный ток базы

-

-

-

4,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC= 1,0 A, VC = 5 В

8,0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

ТC = 25°C

-

-

50,0

Вт

tf

Время спада

lC = 6,0 A, 1,2 A, VCC = 200 В

-

-

0,2

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 6,0 A, 1,2 A, VCC = 200 В

-

-

3

мкс

KSC5089 (аналоги: BU2522A, ST2001HI, 2SC3687, 2SC5297, 2SC5449)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 -TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

lC = 6,0 A, lB = 1,5A

-

-

5,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

8,0

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

15,0

A

IB

Постоянный ток базы

-

-

4,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

lC = 1,0 A, VCE= 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

50,0

Вт

tf

Время спада

lC = 6,0 A, lB = 1,2 A, VCC = 200 В

-

0,1

0,2

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 6,0 A, lB = 1,2 A, VCC = 200 В

-

-

3,0

мкс

KSC5386 (аналоги: BU2508DF, ST1803DHI, 2SC2499, 2SC3892A, 2SC4123, 2SC4916)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1-TO-3PF (рис. 4)

2 - рис. 2 (RБ-Э = 33...50 Ом)

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

lC = 5,0 A, lB = 1,2 A

-

-

5,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

7,0

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

14,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

lC = 1,0 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

50,0

Вт

tf

Время спада

lC = 4,0 A, lB = 0,8 A, VCC= 200 В

-

0,1

0,2

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 4,0 A, lB = 0,8 A, VCC= 200 В

-

-

2

мкс

VF

Напряжение диода в прямом направлении

IF = 6,0 A

-

-

2,0

В

KSD5060 (аналоги: BU705D, BUH315D, 2SD1290, 2SD1291, 2SD1728)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 -TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 2

(RБ-Э= 50 Ом)

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

lC = 2,0 A, lB = 0,6 A

-

-

8,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

2,5

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

10,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

lC = 0,5 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

60,0

Вт

tf

Время спада

lC = 2,0 A, lB = 0,6 A, VCC = 200 В

-

-

0,4

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 2,0 A, lB = 0,6 A, VCC = 200 В

-

-

2

мкс

Vf

Напряжение диода в прямом направлении

-

-

-

2,0

В

KSD5061 (аналоги: BU706D, BUH315D, 2SC3480, 2SD1729)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при IE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 2 (RБ-Э=50 Ом)

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC = 2,0 A, IB = 0,8 A

-

-

8,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

3,5

A

ICM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

10,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC = 0,5 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

80,0

Вт

tf

Время спада

IC = 3,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

0,4

мкс

ts

Время рассасывания

IC = 3,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

3

мкс

VF

Напряжение диода в прямом направлении

-

-

-

2,0

В

KSD5062 (аналоги: BU706D, BU2508D, ST1803DHI, 2SC2499, 2SC3481, 2SC3681)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при IE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 2 (RБ-Э=50 Ом)

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC = 4,0 A, IB = 0,8 A

-

3,0

5,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

5,0

A

ICM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

16,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC= 1,0 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

120,0

Вт

tf

Время спада

IC = 4,0 A, IB= 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

0,4

мкс

ts

Время рассасывания

IC = 4,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

3,5

мкс

VF

Напряжение диода в прямом направлении

IF = 1,0 A

-

-

2,0

В

KSD5064 (аналоги: BUH315, 2SD705, 2SC3483, 2SD1493, 2SD1494)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при IE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC= 6,0 A, IB =1,5 A

-

-

8,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

2,5

A

ICM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

10,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC = 1,0 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

80,0

Вт

tf

Время спада

IC = 2,0 A, IB = 0,6 A, VCC = 200 В

-

0,1

0,4

мкс

ts

Время рассасывания

IC = 2,0 A, IB = 0,6 A, VCC = 200 В

-

-

4

мкс

KSD5065 (аналоги: BUH315, 2SC3484, 2SD706, 2SD1495)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при IE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC = 2,5 A, IB = 0,8 A

-

-

8,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

3,5

A

ICM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

10,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC = 0,5 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

80,0

Вт

tf

Время спада

IC = 3,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

0,1

0,4

мкс

ts

Время рассасывания

IC = 3,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

3.5

мкс

KSC5066 (аналоги: BU2508A, ST1802HI, 2SC3685, 2SC3895, 2SC4429, 2SD706, 2SD1496, 2SD1497)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при IE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC = 4,0 A, IB = 0,8 A

-

-

8,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

5,0

A

ICM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

16,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC= 1,0 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

120,0

Вт

tf

Время спада

IC = 4,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

0,4

мкс

ts

Время рассасывания

IC = 4,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

3.5

мкс

KSD5068 (аналоги: BU2508A, ST2001HI, 2SC3687, 2SC3688, 2SC5297, 2SC5449)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при IE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при IB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC = 6,0 A, IB = 1,2 A

-

-

5,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

8,0

A

ICM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

30,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC = 6,0 A, VCE = 5 В

5.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

150,0

Вт

tf

Время спада

IC = 6,0 A, IB= 1,2 A, VCC = 200 В

-

-

0,3

мкс

ts

Время рассасывания

IC = 6,0 A, IB= 1,2 A, VCC = 200 В

-

-

3

мкс

KSC5070 (аналоги: BU705DF, 2SD1649, 2SD1876)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3PF (рис. 4)

2 - рис. 2 (RБ-Э = 50 Ом)

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC = 2,0 A, IB = 0,6 A

-

-

8,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

2,5

A

ICM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

10,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC = 0,5 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

50,0

Вт

tf

Время спада

IC = 2,0 A, IB = 0,6 A, VCC = 200 В

-

-

0,4

мкс

ts

Время рассасывания

IC = 2,0 A, IB = 0,6 A, VCC = 200 В

-

-

4

мкс

VF

Напряжение диода в прямом направлении

IF = 2,5 A

-

-

2,0

В

KSD5071 (аналоги: BU706DF, 2SD1650, 2SD1877)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3PF (рис. 4)

2 - рис. 2 (RБ-Э = 50 Ом)

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC = 2,5 A, IB = 0,8 A

-

-

8,0

В

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

3,5

A

ICM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

10,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC = 0,5 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

50,0

Вт

tf

Время спада

IC = 3,0 A, IB= 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

0,4

мкс

ts

Время рассасывания

IC = 3,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

3.5

мкс

VF

Напряжение диода в прямом направлении

IF = 3,5 A

-

-

2,0

В

KSD5072 (аналоги: BU706DF, BU2508DF, 2SC4122, 2SD1878)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3PF (рис. 4)

2 - рис. 2 (RБ-Э = 50 Ом)

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

IC = 4,0 A, IB = 0,8 A

-

3,0

5,0

В

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

5,0

A

ICM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

16,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

IC = 5,0 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

60,0

Вт

tf

Время спада

IC = 4,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

0,4

мкс

ts

Время рассасывания

IC = 4,0 A, IB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

3.5

мкс

VF

Напряжение диода в прямом направлении

IF = 5,0 A

-

-

2,0

В

KSD5074 (аналоги: BU705F, BUH315, 2SD1653, 2SD1882)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3PF (рис. 4)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

lC = 2,0 A, lB = 0,6 A

-

-

8,0

В

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

2,5

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

10,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

lC = 0,5 A, VCE = 5 В

5.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

50,0

Вт

tf

Время спада

lC = 2,0 A, lB = 0,6 A, VCC = 200 В

-

-

0,4

мкс

ts

Время рассасывания

IC = 2,0 A, IB = 0,6 A, VCC = 200 В

-

-

3.5

мкс

KSD5075 (аналоги: BU706F, BUH315, 2SC4142, 2SD1654, 2SD1883)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3PF (рис. 4)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

lC = 2,5 A, lB = 0,8 A

-

-

8,0

В

IC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

3,5

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

10,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

lC = 0,5 A, VCE = 5 В

8.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

50,0

Вт

tf

Время спада

lC = 3,0 A, lB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

0,4

мкс

ts Время рассасывания lC = 3,0 A, lB = 0,8 A, VCC = 200 В 3.5 мкс

KSD5076 (аналоги: BU706F, BU2508AF, ST1802HI, 2SC3895, 2SC4429, 2SC4142, 2SD1655)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3PF (рис. 4)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

lC = 4,0 A, lB = 0,8 A

-

-

5,0

В

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

8,0

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

30,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

lC = 1,0A, VCE = 5 В

5.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC = 25°C

-

-

150,0

Вт

tf

Время спада

lC = 4,0 A, lB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

0,3

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 4,0 A, lB = 0,8 A, VCC = 200 В

-

-

3

мкс

KSD5078 (аналоги: BU2508AF, ST2001HI, 2SC3896, 2SC5067, 2SC5297, 2SC5449, 2SD1886)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3PF (рис. 4)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

lC = 6,0 A, lB = 1,2 A

-

-

5,0

В

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

8,0

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

30,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

lC = 6,0A, VCE = 5 В

5.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC= 25°C

-

-

70,0

Вт

tf

Время спада

lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В

-

-

0,3

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В

-

-

3

мкс

KSD5080 (аналоги: BU2508DF, BUH615D, 2SC4123, 2SC4124, 2SC4744, SC4762, 2SC4769, 2SD1880)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3PF (рис. 4)

2 - рис. 2 (RБ-Э = 50 Ом)

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

lC = 6,0 A, lB = 1,2 A

-

3,0

5,0

В

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

8,0

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

30,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

lC = 6,0 A, VCE = 5 В

5.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC= 25°C

-

-

70,0

Вт

tf

Время спада

lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В

-

0,1

0,3

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В

-

-

3

мкс

VF

Напряжение диода в прямом направлении

lF = 58,0 A

-

-

2,0

В

KSD5090 (аналоги: BU2508D, BU2520D, ST2001HI, 2SC3683, 2SC5297, 2SC5449)

Символ

Параметр

Условия измерения

Мин

Тип

Макс.

Ед. изм.

Примечание:

1 - корпус

2 - схема

VCBO

Напряжение коллектор-база при lE = 0

-

-

-

1500

В

1 - TO-3P (рис. 3)

2 - рис. 1

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер при lB = 0

-

-

-

800

В

VCEsat

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

lC = 6,0 A, lB = 1,2 A

-

-

5,0

В

lC

Постоянный ток коллектора

-

-

-

8,0

A

lCM

Предельно допустимый ток коллектора

-

-

-

30,0

A

hEF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой

lC = 6,0A, VCE = 5 В

5.0

-

-

-

Ptot

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

TC= 25°C

-

-

150,0

Вт

tf

Время спада

lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В

-

0,1

0,3

мкс

ts

Время рассасывания

lC = 6,0 A, lB= 1,2 A, VCC = 200 В

-

-

3

мкс

Примечание: IF - прямой ток диода; RL - сопротивление нагрузки; VCC - напряжение питания; TC - температура окружающей среды.

Автор: Геннадий Романов (г. Москва)

Источник: Ремонт и сервис


Дата публикации: 11.10.2014
Мнения читателей
  • николай / 25.03.2017 - 22:57
    очень хороший материал

Вы можете оставить свой комментарий, мнение или вопрос по приведенному вышематериалу:








 



RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics