Новости электроники

Архив : 15 Ноябрь 2006 год



Четырехканальные цифровые изоляторы Si8440/41/42 от SILICON LABORATORIES обеспечивают скорость передачи до 150Мбит/с

10:22

SI8440-C-IS, SI8441-C-IS, SI8442-C-IS – семейство CMOS цифровых изоляторов, которые представляют собой РЧ-разветвитель для передачи цифровой информации через изолирующий барьер. Очень высокая рабочая частота позволяет добиться низкого энергопотребления при скорости передачи до 150Мбит/с и задержке распространения менее 10нс. Выходы изоляторов можно переводить в непроводящее состояние по сигналу управления. Благодаря монолитной CMOS-структуре, удается добиться устойчивой работы микросхем при максимальной температуре +125ºC.

Отличительные особенности:

  • высокая скорость передачи: 0...150Мбит/с;
  • задержка распространения менее 10нс;
  • диапазон напряжения питания: 2,375...5,5В;
  • низкое потребление: 12мА на канал при 100Мбит/с;
  • рассогласование в каналах 1нс;
  • рассогласование ширины импульсов 2нс;
  • прочность изоляции 2500В;
  • устойчивость к выбросам высокого напряжения более 25кВ/мкс;
  • тристабильное состояние выходов;
  • разделение по постоянному току;
  • время готовности менее 10мкс;
  • максимальная стартовая рабочая температура:
    - 125°C при 100Мбит/с,
    - 100°C при 150Мбит/с;
  • температурный диапазон: –40ºC…+125ºC;
  • корпус SOIC-16.

Области применения: изолированные импульсные источники питания, системы контроля моторов, изолированные ЦАП/АЦП, корректоры мощности.

Источник: terraelectronica

Winbond выпустила серию псевдостатических ОЗУ W96

09:19

Компания Winbond Electronics сообщила о запуске производства псевдостатических ОЗУ (Pseudo SRAM) серии W96 рекордно-высокой емкости (256 Мбит) среди прочей доступной на рынке продукции. Расширение функциональных возможностей мобильных телефонов, как правило, связано с необходимостью увеличения емкости буферного ОЗУ. К числу таких функций относятся, например, просмотр цифровых фотографий, загрузка JAVA-игр, встроенный модуль цифровой камеры и др. Такие преимущества псевдостатических ОЗУ, как высокая емкость, низкая стоимость, повышенная скорость передачи данных и малое потребление практически вытеснили из мобильных телефонов традиционные статические ОЗУ с 6-ти транзисторными ячейками памяти и сделали их незаменимой частью кэш-памяти данных. Кроме того, во многих коммуникационных приложениях требуется экономичная память, которая обладает пониженной стоимостью, но при этом имеет увеличенный размер памяти. Именно такая тенденция будет сохраняться за псевдостатическими ОЗУ в будущем, предлагая экономичную память с рекордным соотношением емкость/стоимость.

В плане архитектуры псевдостатическое ОЗУ представляет собой объединение динамического ОЗУ и интерфейса стандартного статического ОЗУ. За основу ядра динамического ОЗУ взято традиционное решение, на элементарном уровне состоящее из 1 транзистора и 1 конденсатора. Интерфейс статического ОЗУ выполнен с учетом совместимости с традиционными одноименными компонентами. Помимо данных составляющих компонентов, псевдостатическое ОЗУ содержит схему регенерации, связанную с внешней схемой через интерфейс СОЗУ. За счет этого улучшено быстродействие доступа при минимуме сложностей на реализацию функции регенерации для разработчика. Псевдостатические ОЗУ производятся по существующей технологии DRAM 110 нм и 90 нм.

Псевдостатические ОЗУ характеризуются следующими особенностями:

  • Высокая емкость памяти (16-256Мбит)
  • Высокая частота (133МГц)
  • Уменьшенные размеры кристалла (ячейка памяти состоит из 1 транзистора)
  • Пониженный потребляемый ток
  • Совместимость с технологией производства динамических ОЗУ
  • Встроенная схема регенерации упрощает проектирование.

Псевдостатические ОЗУ Winbond отвечают существующим стандартам для этой категории продукции. В настоящее время существует три стандарта, распространяющиеся на псевдостатические ОЗУ. Кроме собственных стандартов компаний Samsung и CSOMO, наиболее распространенным на рынке является стандарт CRAM 1.0G/1.5G/2.0G альянса CellularRAM (Winbond Electronics является членом этого альянса)

Ниже приведена краткая информация по новым псевдостатическим ОЗУ емкостью 256 Мбит:

 За предыдущий день   Все за месяц  За следующий день   
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics