Архив : 15 Ноябрь 2006 год

SI8440-C-IS, SI8441-C-IS, SI8442-C-IS – семейство CMOS цифровых изоляторов, которые представляют собой РЧ-разветвитель для передачи цифровой информации через изолирующий барьер. Очень высокая рабочая частота позволяет добиться низкого энергопотребления при скорости передачи до 150Мбит/с и задержке распространения менее 10нс. Выходы изоляторов можно переводить в непроводящее состояние по сигналу управления. Благодаря монолитной CMOS-структуре, удается добиться устойчивой работы микросхем при максимальной температуре +125ºC.

Отличительные особенности:

• высокая скорость передачи: 0...150Мбит/с;
• задержка распространения менее 10нс;
• диапазон напряжения питания: 2,375...5,5В;
• низкое потребление: 12мА на канал при 100Мбит/с;
• рассогласование в каналах 1нс;
• рассогласование ширины импульсов 2нс;
• прочность изоляции 2500В;
• устойчивость к выбросам высокого напряжения более 25кВ/мкс;
• тристабильное состояние выходов;
• разделение по постоянному току;
• время готовности менее 10мкс;
• максимальная стартовая рабочая температура:
  - 125°C при 100Мбит/с,
  - 100°C при 150Мбит/с;
• температурный диапазон: –40ºC…+125ºC;
• корпус SOIC-16.

Области применения: изолированные импульсные источники питания, системы контроля моторов, изолированные ЦАП/АЦП, корректоры мощности.

Источник:terraelectronica

Компания Winbond Electronics сообщила о запуске производства псевдостатических ОЗУ (Pseudo SRAM) серии W96 рекордно-высокой емкости (256 Мбит) среди прочей доступной на рынке продукции. Расширение функциональных возможностей мобильных телефонов, как правило, связано с необходимостью увеличения емкости буферного ОЗУ. К числу таких функций относятся, например, просмотр цифровых фотографий, загрузка JAVA-игр, встроенный модуль цифровой камеры и др. Такие преимущества псевдостатических ОЗУ, как высокая емкость, низкая стоимость, повышенная скорость передачи данных и малое потребление практически вытеснили из мобильных телефонов традиционные статические ОЗУ с 6-ти транзисторными ячейками памяти и сделали их незаменимой частью кэш-памяти данных. Кроме того, во многих коммуникационных приложениях требуется экономичная память, которая обладает пониженной стоимостью, но при этом имеет увеличенный размер памяти. Именно такая тенденция будет сохраняться за псевдостатическими ОЗУ в будущем, предлагая экономичную память с рекордным соотношением емкость/стоимость.

В плане архитектуры псевдостатическое ОЗУ представляет собой объединение динамического ОЗУ и интерфейса стандартного статического ОЗУ. За основу ядра динамического ОЗУ взято традиционное решение, на элементарном уровне состоящее из 1 транзистора и 1 конденсатора. Интерфейс статического ОЗУ выполнен с учетом совместимости с традиционными одноименными компонентами. Помимо данных составляющих компонентов, псевдостатическое ОЗУ содержит схему регенерации, связанную с внешней схемой через интерфейс СОЗУ. За счет этого улучшено быстродействие доступа при минимуме сложностей на реализацию функции регенерации для разработчика. Псевдостатические ОЗУ производятся по существующей технологии DRAM 110 нм и 90 нм.

Псевдостатические ОЗУ характеризуются следующими особенностями:

• Высокая емкость памяти (16-256Мбит)
• Высокая частота (133МГц)
• Уменьшенные размеры кристалла (ячейка памяти состоит из 1 транзистора)
• Пониженный потребляемый ток
• Совместимость с технологией производства динамических ОЗУ
• Встроенная схема регенерации упрощает проектирование.

Псевдостатические ОЗУ Winbond отвечают существующим стандартам для этой категории продукции. В настоящее время существует три стандарта, распространяющиеся на псевдостатические ОЗУ. Кроме собственных стандартов компаний Samsung и CSOMO, наиболее распространенным на рынке является стандарт CRAM 1.0G/1.5G/2.0G альянса CellularRAM (Winbond Electronics является членом этого альянса)

Ниже приведена краткая информация по новым псевдостатическим ОЗУ емкостью 256 Мбит: