Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Ферроэлектрическое ОЗУ RAMTRON достигло плотности 2Мбит

Ферроэлектрическое ОЗУ RAMTRON достигло плотности 2Мбит



Компания RAMTRON INTERNATIONAL расширила свое семейство микросхем FRAM высокой плотности параллельной микросхемой, имеющей 2Мбита памяти.

FM21L16 - 2Мбит, 3В, параллельная энергонезависимая FRAM микросхема в 44-выводном TSOP-II корпусе, обеспечивающая быстрый доступ, NoDelay-запись, теоретически неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое потребление энергии. Совместимая по выводам со статическими асинхронными ОЗУ (SRAM), FM21L16 предназначена для опирающейся на ОЗУ промышленной управляющей аппаратуры, измерительных, медицинских, автомобильных, игровых, компьютерных и многих других приложений.

«Это вторая FRAM-микросхема компании RAMTRON появившаяся  в результате сотрудничества с компанией TEXAS INSTRUMENTS и это очередная микросхема в семействе независимой FRAM-памяти высокой плотности», - говорит Дункан Беннет (Duncan Bennett), менеджер по стратегическому маркетингу компании RAMTRON. «FM21L16 является недорогой альтернативой для MRAM, ОЗУ с батарейной поддержкой (BBSRAM) и энергонезависимым ОЗУ (NVSRAM). Кроме того, что микросхема имеет невысокую цену и небольшой размер, FRAM потребляет намного меньше энергии в активном и ждущем режиме работы по сравнению с MRAM и не требует наличия батареи или конденсатора на плате для сохранения данных, как это требуется для BBSRAM и NVSRAM, соответственно».

Энергонезависимая память 128Kx16бит со стандартным параллельным интерфейсом, FM21L16, производит чтение и запись информации со скоростью определяемой шиной, имеет ресурс как минимум 100 триллионов операций записи и время сохранности данных более 10 лет. Микросхема обеспечивает время доступа 60нс, время цикла 110нс и использует передовую схему защиты записи для предотвращения неосторожной записи и повреждения данных. Микросхема 2Мбит FRAM является прямой заменой для стандартного асинхронного ОЗУ, которая не нуждается в батарее для хранения данных, что значительно повышает надежность компонента и системы в целом. В отличие от ОЗУ с поддержкой от батареи, FM21L16 является действительно поверхностно монтируемым решением, которое не требует дополнительной операции по подключению батареи и не чувствительно к загрязнениям, ударам и вибрации.

Имея стандартный параллельный интерфейс для подключения к современным высокопроизводительным микропроцессорам, FM21L16 реализует страничный режим работы с высокой скоростью, который обеспечивает пиковую пропускную способность до 80Мбайт/с, что делает ее одной из самых быстрых микросхем энергонезависимой памяти на рынке.

Микросхема потребляет меньший ток, чем стандартные ОЗУ, потребляя 18мА во время операций чтения/записи и чрезвычайно малый ток в режиме ожидания, 5мкА. Она работает от питающего напряжения в диапазоне 2,7…3,6В в полном промышленном диапазоне температур от -40° до +85°C.
В настоящее время имеются образцы FM21L16 в отвечающем требованиям RoHS 44-выводном TSOP-II корпусе.

 

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 25.10.2007
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics