Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Сегнетоэлектрическая память FM24V10-G емкостью 512 кб компании Ramtron

Сегнетоэлектрическая память FM24V10-G емкостью 512 кб компании Ramtron



FM24V10-G – сегнетоэлектрическая энергонезависимая память объемом 512 кб с организацией 65 536 х 8 бит. Может использоваться в качестве замены EEPROM в ответственных применениях. Память отличается скоростью чтения и записи сравнимой с ОЗУ и высокой надежностью. FM24V10-G имеет интерфейс I2C и обеспечивает хранение данных в течение 10 лет.

FM24V10-G

Отличительные особенности:

    организация памяти: 65 536 х 8 бит;
    высокая надежность – до 10-14 циклов чтения/записи;
    хранение данных до 10 лет;
    интерфейс: I2C;
    напряжение питания: 2,0 В ... 3,6 В;
    ток потребления в активном режиме: 150 мкА;
    температурный диапазон: -40 °C ... +85 °C;
    тип корпуса: SOIC-8.

Функциональная схема FM24V10-G

Области применения: системы промышленной автоматизации, медицинские приборы.

Дата публикации: 08.07.2009
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics