Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Сегнетоэлектрическая память FM25V10-G емкостью 1 Мб

Сегнетоэлектрическая память FM25V10-G емкостью 1 Мб



FM25V10-G – сегнетоэлектрическая энергонезависимая память объемом 1Мб с организацией 128к х 8 бит компании Ramtron. Может использоваться в качестве замены EEPROM в ответственных применениях.

Память отличается скоростью чтения и записи сравнимой с ОЗУ и высокой надежностью. FM25V10-G имеет интерфейс SPI (40 МГц) и обеспечивает хранение данных в течении 10 лет.

FM25V10-G

Отличительные особенности:

    организация памяти: 128к х 8 бит;
    высокая надежность – до 10-14 циклов чтения/записи;
    хранение данных до 10 лет;
    интерфейс: SPI (до 40 МГц);
    напряжение питания: 2,0 В...3,6 В;
    ток потребления в активном режиме: 90 мкА;
    температурный диапазон: -40°C...+85°С;
    тип корпуса: SOIC-8.

Области применения: системы промышленной автоматизации, медицинские приборы.

Источник: www.terraelectronica.ru

Дата публикации: 31.08.2009
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics