Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Транзисторный чипсет от IR с повышенным КПД

Транзисторный чипсет от IR с повышенным КПД



Компания International Rectifier теперь имеет новый чипсет из DirectFET MOSFET для питания сильноточных DC/DC преобразователей, используемых в перспективных системах телекоммуникации и передачи данных, ноутбуках, продвинутых РС и серверах.

Управляющие (IRF6712S) и синхронные (IRF6716M) транзисторы были разработаны с использованием последних кремниевых процессов HEXFET MOSFET и технологии монтажа DirectFET. Они имеют чрезвычайно низкие значения индуктивности корпуса, сопротивления во включенном состоянии, заряда затвора и промежутка затвор-сток, что обеспечивает высокий КПД и великолепные тепловые характеристики.

Все это позволяет достичь величины тока до 25A на фазу при небольших размерах плоского корпуса. Величина сопротивления IRF6716M во включенном состоянии  (1,2мОм при напряжении затвор-сток 10В  и 2,0 мОм при 4,5В) является самой низкой для транзисторов на 25В, что делает прибор крайне привлекательным для синхронных выпрямителей сильноточных ВЧ преобразователей.

IRF6716M имеет такой же низкий (0,7мм) профиль и расположение выводов, как у предыдущего поколения приборов, что позволяет легко переходить к ним от существующих низковольтных DirectFET MOSFET.

IRF6712S был оптимизирован для сильноточных применений, где желателен вариант с единственным управляющим  транзистором. Он имеет низкие значения зарядов затвора и промежутка затвор-сток  (13 и 4,4нК, соответственно,) в сочетании с малым последовательным сопротивлением (3,8мОм при 10В и 6,7мОм при 4,5В).

Для облегчения работы с ним IRF6712S также имеет такую же толщину и расположение выводов, как у предыдущего поколения приборов.

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 30.04.2007
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics