Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: MOSFET-транзисторы с новейшей Trench-технологией

MOSFET-транзисторы с новейшей Trench-технологией



Представляем вам новые MOSFET-транзисторы International Rectifier, предназначенные для применения в силовых преобразовательных устройствах промышленных и телекоммуникационных источников питания, источниках бесперебойного питания, электроприводе с батарейным питанием и силовой автоэлектронике.

Новая серия силовых MOSFET-транзисторов на напряжение сток-исток от 20 В до 60 В с ультранизким сопротивлением открытого канала (Rds(on)) является эффективным средством решения задач по минимизации потерь проводимости в силовых преобразовательных устройствах.

IR MOSFET

Преимущества MOSFET транзисторов данных серий:

    новейшая Trench-технология кристалла с ультранизким удельным сопротивлением канала ячейки;
    снижение сопротивления открытого канала до 2,5 раза по сравнению с предыдущим поколением;
    лучшие показатели сопротивления открытого канала в отрасли без применения дорогих низкоомных корпусов и специальных схем разварки кристалла;
    высокие динамические характеристики и низкая мощность управления;
    высокая устойчивость к лавинному пробою.

Источник: www.terraelectronica.ru

Дата публикации: 17.08.2009
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics