Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ... Распечатать: Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4

Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4



Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности.

Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ: самые низкие уровни заряда затвора и емкости среди 1200 В переключателей, отсутствие потерь на восстановление внутреннего диода, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая характеристика.

MOSFET линейки CoolSiC прекрасно подходят для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (ККМ), двунаправленные топологии, DC/DC-преобразователи или DC/AC-инверторы.

Особенности:

  • Низкие потери при переключении;
  • Беспороговая характеристика;
  • Широкий диапазон напряжений "затвор-исток";
  • Пороговое напряжение затвора VGS(th) = 4,5 В;
  • Контролируемая скорость нарастания напряжения (dV/dT);
  • Надежный токопроводящий диод для жесткой коммутации;
  • Потери при переключении не зависят от температуры;
  • Сохранение работоспособности при возникновении КЗ в течение 3 мкс при напряжении на затворе 15 В.

 

Доступны для заказа в корпусах TO247-4. Данный корпус имеет дополнительный сигнальный вывод истока для оптимизации процесса переключения.

Применение:

  • Системы преобразования солнечной энергии;
  • Системы зарядки электромобилей;
  • Источники бесперебойного питания (ИБП);
  • Блоки питания;
  • Управление двигателем.

 

Пример типовой схемы зарядного устройства на транзисторах серии CoolSiC 1200В

Пример типовой схемы зарядного устройства на транзисторах серии CoolSiC 1200В

 

Корпус TO247-3

Корпус TO247-4

IMW120R030M1H

IMZ120R030M1H

IMW120R045M1

IMZ120R045M1

IMW120R060M1H

IMZ120R060M1H

IMW120R090M1H

IMZ120R090M1H

IMW120R140M1H

IMZ120R140M1H

IMW120R220M1H

IMZ120R220M1H

IMW120R350M1H

IMZ120R350M1H

 

Источник: www.compel.ru

Дата публикации: 24.01.2020
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics